[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及装置在审
申请号: | 202011041106.8 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112151437A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 周圣军;雷宇;万泽洪 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/62 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 郑勤振 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 巨量 转移 方法 装置 | ||
1.一种Micro-LED巨量转移装置,其特征在于,包括主体结构(100),主体结构(100)上设有用于通入气体的气道(200),主体结构(100)与施主基板(500)贴合的面具有容纳施主基板(500)上要转移的Micro-LED的第一凹槽(310),第一凹槽(310)内壁设有充气状态下能与第一凹槽(310)内Micro-LED接触以将其从施主基板(500)上揭起的气囊(311),气囊(311)与气道(200)流体连通。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED巨量转移装置,其特征在于,主体结构(100)与施主基板(500)贴合的面具有容纳不用转移的Micro-LED的第二凹槽(320),与第二凹槽(320)连接的气道(200)被堵塞。
3.根据权利要求2所述的Micro-LED巨量转移装置,其特征在于,第一凹槽(310)、第二凹槽(320)结构尺寸大于Micro-LED的尺寸。
4.根据权利要求2所述的Micro-LED巨量转移装置,其特征在于,第一凹槽(310)、第二凹槽(320)的数量与间距和施主基板(500)上要转移和不用转移的Micro-LED的数量与间距保持一致。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED巨量转移装置,其特征在于,气囊(311)的材料为聚酰胺或聚酯。
6.一种Micro-LED巨量转移方法,其特征在于,包括:
a)将权利要求1-5任一项所述的巨量转移装置贴合在施主基板(500)上,使施主基板(500)上要转移的Micro-LED位于主体结构(100)的第一凹槽(310)内;
b)通过气道(200)对第一凹槽(310)上的气囊(311)进行充气,使气囊(311)与施主基板(500)上要转移的Micro-LED接触;
c)将所述巨量转移装置从施主基板(500)上揭离,使与气囊(311)接触的Micro-LED在摩擦力的作用下脱离施主基板(500),转移至所述巨量转移装置上;
d)将所述巨量转移装置贴合在受主基板(600)上,使所述巨量转移装置上的Micro-LED与受主基板(600)上的电路对准;
e)停止向气道(200)内供气,使气囊(311)排气并与Micro-LED分离;
f)揭离所述巨量转移装置,Micro-LED在重力作用下转移至受主基板(600)上。
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法,其特征在于,Micro-LED(400)为水平型结构、或竖直型结构、或倒装型结构。
8.根据权利要求6所述的巨量转移方法,其特征在于,受主基板(600)为柔性材料或抗弯曲的刚性材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造