[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及装置在审
申请号: | 202011041106.8 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112151437A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 周圣军;雷宇;万泽洪 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/62 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 郑勤振 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 巨量 转移 方法 装置 | ||
公开了一种Micro‑LED巨量转移方法及装置,所述装置包括主体结构(100),主体结构(100)上设有用于通入气体的气道(200),主体结构(100)与施主基板贴合的面具有容纳所述施主基板上要转移的Micro‑LED(400)的第一凹槽,所述第一凹槽内壁设有充气状态下能与所述第一凹槽内Micro‑LED(400)接触以将其从所述施主基板上揭起的气囊(311),气囊(311)与气道(200)流体连通。本公开利用气囊(311)与Micro‑LED(400)接触时的摩擦力实现Micro‑LED的选择性巨量转移。
技术领域
本公开属于涉及显示技术领域,具体涉及一种Micro-LED巨量转移方法及装置。
背景技术
LED(发光二极管)是一种电光转换半导体电子元件,具有能量转换效率高,反应时间短,使用寿命长等优点;Micro-LED是指在微小尺寸内集成高密度LED阵列的技术,将LED尺寸减至小于50μm,然后集成在显示设备的底板上,每个Micro-LED相当于一个像素点,可定址、单独点亮。与LCD、OLED等传统显示技术相比,Micro-LED具有低功耗、高亮度、高效率、响应时间短、寿命长、超高分辨率和色彩饱和度等优点。Micro-LED具有十分明显的优势,极其适用于高分辨率显示和柔性可穿戴设备,被视为下一代显示技术,未来有巨大的应用前景。
目前Micro-LED显示技术在实现产业化过程中还面临一些技术挑战,其中巨量转移技术是主要的瓶颈之一。巨量转移要求把微米级大小的Micro-LED从施主晶圆上精准拾取,扩大阵列间距,精确安放固定到目标衬底上。现有的主流LED转移技术,远远不能满足Micro-LED产业化的要求,因此,亟需提出新的Micro-LED巨量转移方法,完成扩大Micro-LED阵列间距和准确安放Micro-LED的任务,并提高转移速度、转移精度,以加快Micro-LED显示技术的产业化步伐。
发明内容
本公开提供一种Micro-LED巨量转移方法及装置,能将Micro-LED大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上,实现三基色Micro-LED的集成。
本公开的至少一个实施例提供一种Micro-LED巨量转移装置,包括主体结构,所述主体结构上设有用于通入气体的气道,所述主体结构与施主基板贴合的面具有容纳所述施主基板上要转移的Micro-LED的第一凹槽,所述第一凹槽内壁设有充气状态下能与所述第一凹槽内Micro-LED接触以将其从所述施主基板上揭起的气囊,所述气囊与所述气道流体连通。
在一些示例中,所述主体结构与所述施主基板贴合的面具有容纳不用转移的Micro-LED的第二凹槽,与所述第二凹槽连接的气道被堵塞。
在一些示例中,所述第一凹槽、所述第二凹槽结构尺寸大于Micro-LED的尺寸。
在一些示例中,所述第一凹槽、所述第二凹槽的数量与间距和所述施主基板上要转移和不用转移的Micro-LED的数量与间距保持一致。
在一些示例中,所述气囊的材料为聚酰胺或聚酯。
本公开的至少一个实施例提供一种Micro-LED巨量转移方法,包括:
a)将所述的巨量转移装置贴合在所述施主基板上,使所述施主基板上要转移的Micro-LED位于所述主体结构的所述第一凹槽内;
b)通过所述气道对所述第一凹槽上的所述气囊进行充气,使所述气囊与所述施主基板上要转移的Micro-LED接触;
c)将所述巨量转移装置从所述施主基板上揭离,使与所述气囊接触的Micro-LED在摩擦力的作用下脱离所述施主基板,转移至所述巨量转移装置上;
d)将所述巨量转移装置贴合在受主基板上,使所述巨量转移装置上的Micro-LED与所述受主基板上的电路对准;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造