[发明专利]一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源故障数据的方法在审
申请号: | 202011044232.9 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112199321A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 王萌;刘志平;蒋晓峰 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
主分类号: | G06F15/78 | 分类号: | G06F15/78;G06F12/02;G06F11/07;G06F3/06 |
代理公司: | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 | 代理人: | 高原 |
地址: | 214063 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 单片机 内部 xram flash 处理 电源 故障 数据 方法 | ||
1.一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述方法包括:
在单片机内的XRAM至少开辟出第一存储块和第二存储块;
将电源数据持续的写入至第一存储块内;
判断电源是否发生故障,当电源发生故障时,将电源数据持续的写入至第二存储块内,同时,擦除单片机内FLASH指定区域的数据,并将第一存储块内的电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内;
根据外部读取指令,读取FLASH内存储的电源数据。
2.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述第一存储块和第二存储块包含多个存储空间,每个存储空间存储一条包含时间标志的电源数据。
3.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述擦除单片机内FLASH指定区域的数据的过程包括:
根据擦除指令完成禁止中断;
根据擦除地址选择相应的BANK;
设置PSEE位允许FLASH擦除操作,以及设置PSWE位允许FLASH写操作;
向寄存器写入关键码解锁FLASH;
向待擦除页任意地址写入一个字节完成整页擦除;
随后清除PSEE和PSWE位;
重新使能中断,完成一整页FLASH的擦除。
4.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内的过程包括:
根据写入指令完成禁止中断;
根据写入的地址选择相应的BANK;
设置PSWE位允许对FLASH写操作;
清除PSEE位,禁止对FLASH擦除操作;
写入关键码解锁FLASH;
完成字节写入后清除PSWE位禁止FLASH写入操作;
重新使能中断,完成一个字节数据的写入。
5.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述读取FLASH内存储的电源数据的过程包括:
根据读取指令完成禁止中断;
根据读取地址选择相应的BANK;
读取指针指向所要读取的数据;
重新使能中断;
将需要读取的数据返回,完成一个字节数据的读取。
6.一种数字电源,其特征在于,所述数字电源包括一具有XRAM和FLASH单片机,所述单片机通过权利要求1至5任一所述的方法进行电源故障数据的处理。
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