[发明专利]一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源故障数据的方法在审

专利信息
申请号: 202011044232.9 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112199321A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 王萌;刘志平;蒋晓峰 申请(专利权)人: 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
主分类号: G06F15/78 分类号: G06F15/78;G06F12/02;G06F11/07;G06F3/06
代理公司: 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 代理人: 高原
地址: 214063 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 单片机 内部 xram flash 处理 电源 故障 数据 方法
【权利要求书】:

1.一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述方法包括:

在单片机内的XRAM至少开辟出第一存储块和第二存储块;

将电源数据持续的写入至第一存储块内;

判断电源是否发生故障,当电源发生故障时,将电源数据持续的写入至第二存储块内,同时,擦除单片机内FLASH指定区域的数据,并将第一存储块内的电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内;

根据外部读取指令,读取FLASH内存储的电源数据。

2.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述第一存储块和第二存储块包含多个存储空间,每个存储空间存储一条包含时间标志的电源数据。

3.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述擦除单片机内FLASH指定区域的数据的过程包括:

根据擦除指令完成禁止中断;

根据擦除地址选择相应的BANK;

设置PSEE位允许FLASH擦除操作,以及设置PSWE位允许FLASH写操作;

向寄存器写入关键码解锁FLASH;

向待擦除页任意地址写入一个字节完成整页擦除;

随后清除PSEE和PSWE位;

重新使能中断,完成一整页FLASH的擦除。

4.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内的过程包括:

根据写入指令完成禁止中断;

根据写入的地址选择相应的BANK;

设置PSWE位允许对FLASH写操作;

清除PSEE位,禁止对FLASH擦除操作;

写入关键码解锁FLASH;

完成字节写入后清除PSWE位禁止FLASH写入操作;

重新使能中断,完成一个字节数据的写入。

5.如权利要求1所述的利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法,其特征在于,所述读取FLASH内存储的电源数据的过程包括:

根据读取指令完成禁止中断;

根据读取地址选择相应的BANK;

读取指针指向所要读取的数据;

重新使能中断;

将需要读取的数据返回,完成一个字节数据的读取。

6.一种数字电源,其特征在于,所述数字电源包括一具有XRAM和FLASH单片机,所述单片机通过权利要求1至5任一所述的方法进行电源故障数据的处理。

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