[发明专利]一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源故障数据的方法

说明书

本申请提供了一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法，所述方法包括：使单片机内的XRAM至少包含第一存储块和第二存储块；将电源数据持续的写入至第一存储块内；判断电源是否发生故障，当电源发生故障时，将电源数据持续的写入至第二存储块内，同时，擦除单片机内FLASH指定区域的数据，并将第一存储块内的电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内；根据外部读取指令，读取FLASH内存储的电源数据。本申请提供的利用单片机内部XRAM和FLASH存储电源故障数据的方法相比于外挂FLASH存储芯片来存储电源故障的方法，可以简化电路设计、提高电路的可靠性、节省单片机的I/O口资源，降低电路的成本。

技术领域

本申请属于数字电源技术领域，特别涉及一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源故障数据的方法。

背景技术

在电源管理领域多使用单片机作为核心控制单元，为了对电源的运行状态或故障进行分析，通常在发生故障的时候会对故障数据进行存储，方便后续分析。

目前常用的方法是在单片机外围挂接一个独立的FLASH芯片用来存储电源故障数据，但这样的方法会使得电路设计变得复杂，降低了系统的可靠性，且额外占用了单片机宝贵的I/O资源，限制了系统功能，此外还增加了电路成本。

发明内容

本申请的目的是提供了一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源故障数据的方法，以解决或减轻背景技术中的至少一个问题。

本申请的技术方案是：一种利用单片机内部XRAM和FLASH处理电源数据的方法，所述方法包括：

在单片机内的XRAM至少开辟出第一存储块和第二存储块；

将电源数据持续的写入至第一存储块内；

判断电源是否发生故障，当电源发生故障时，将电源数据持续的写入至第二存储块内，同时，擦除单片机内FLASH指定区域的数据，并将第一存储块内的电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内；

根据外部读取指令，读取FLASH内存储的电源数据。

在本申请中，所述第一存储块和第二存储块包含多个存储空间，每个存储空间存储一条包含时间标志的电源数据。

在本申请中，所述擦除单片机内FLASH指定区域的数据的过程包括：

根据擦除指令完成禁止中断；

根据擦除地址选择相应的BANK；

设置PSEE位允许FLASH擦除操作，以及设置PSWE位允许FLASH写操作；

向寄存器写入关键码解锁FLASH；

向待擦除页任意地址写入一个字节完成整页擦除；

随后清除PSEE和PSWE位；

重新使能中断，完成一整页FLASH的擦除。

在本申请中，所述电源数据写入至FLASH擦除后的指定区域内的过程包括：

根据写入指令完成禁止中断；

根据写入的地址选择相应的BANK；

设置PSWE位允许对FLASH写操作；

清除PSEE位，禁止对FLASH擦除操作；

写入关键码解锁FLASH；

完成字节写入后清除PSWE位禁止FLASH写入操作；

重新使能中断，完成一个字节数据的写入。

在本申请中，所述读取FLASH内存储的电源数据的过程包括：