[发明专利]金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011045949.5 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112234094B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 游步东;夏春新 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体器件，包括：
基底；
从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的源区；
位于所述基底上表面的栅极结构，所述栅极结构至少裸露所述源区，以及
位于所述基底上表面的具有第一掺杂类型的半导体层，所述半导体层被作为所述器件的部分耐压区，
其中，所述半导体层与所述半导体器件的漂移区接触，所述漂移区位于所述基底中；
所述源区位于所述栅极结构的第一侧，所述半导体层位于所述栅极结构的第二侧，所述栅极结构的第一侧和第二侧相对；
所述半导体层和所述栅极结构之间隔离设置。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，还包括从所述基底的上表面延伸至其内的具有第二掺杂类型的体区，所述源区位于所述体区中，所述栅极结构至少覆盖部分所述体区。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，在所述基底中，至少同时与所述基底的上表面，所述体区和所述半导体层接触的区域具有第一掺杂类型。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体层被作为所述金属氧化物半导体器件的漏区。
5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述漂移区被配置为第一掺杂类型。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，当所述基底为第一掺杂类型时，所述基底被配置为所述漂移区，所述体区位于所述漂移区中。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，还包括衬底，所述衬底位于所述基底的下表面。
8.根据权利要求2所述的器件，其中，当所述基底为第二掺杂类型时，所述漂移区位于所述基底中，所述体区与所述漂移区接触。
9.根据权利要求2所述的器件，其中，还包括第一掺杂类型的掺杂区，所述体区，所述源区和所述漂移区均位于所述掺杂区中，所述漂移区与所述体区不接触。
10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体层和所述栅极结构之间通过隔离层隔离。
11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体层和所述栅极结构之间通过高温氧化形成的氧化层隔离。
12.根据权利要求1所述的器件，其中，根据所述器件的耐压要求，调节所述半导体层沿所述器件垂直方向的厚度。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述器件的耐压要求越高，设置所述半导体层沿所述器件垂直方向的厚度越大。
14.根据权利要求10所述的器件，其中，根据所述器件的耐压要求，调节所述隔离层沿所述器件横向方向的宽度。
15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述器件的耐压要求越高，设置所述隔离层沿所述器件横向方向的宽度越大。
16.根据权利要求10所述的器件，其中，还包括覆盖所述基底上表面以及所述栅极结构上表面的层间介质，所述隔离层与所述层间介质和所述栅极结构接触。
17.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体层被设置为多晶硅。
18.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体层被设置为外延硅。
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