[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干下电极，所述下电极包括沿垂直所述基底表面方向延伸的环状壁和瓣状壁，并且所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成若干分立的第一开口；

在所述第一开口的底部和侧壁上形成介电层；

在所述第一开口中形成上电极，所述介电层位于所述下电极和所述上电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述基底上形成若干所述下电极，包括：

在所述基底上形成第一导电层；

刻蚀所述第一导电层形成若干第一导电柱和所述第一导电柱之间的第二开口；

形成填充所述第二开口的第一介质层；

刻蚀所述第一导电柱形成所述环状壁和第三开口；

在所述第三开口中填充第二导电层形成第二导电柱；

在所述第二导电柱上方形成暴露出部分所述第二导电柱的掩膜开口层；

利用所述掩膜开口层刻蚀所述第二导电柱形成所述瓣状壁。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第三开口中填充第二导电层形成第二导电柱之前，还包括：

在所述环状壁的表面形成阻挡层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜开口层具有开口图案，所述开口图案暴露出相邻的若干个所述第二导电柱的部分上表面。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电柱和所述第二导电柱的中心轴重合。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口图案和所述第二导电柱的交叠区域的形状和大小相同。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述基底上形成接触垫，所述接触垫具有凸出所述基底表面的凸部；

所述环状壁的下部包裹所述凸部的侧壁。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

去除所述第一介质层；

在所述环状壁的外壁和顶部表面形成所述介电层；

在所述第二开口中形成所述上电极，所述介电层位于所述上电极和所述环状壁的外壁之间。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的若干下电极，所述下电极包括环状壁和瓣状壁，所述环状壁和所述瓣状壁沿垂直所述基底表面方向延伸，并且所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成若干分立的开口；

介电层，位于所述开口的底部和侧壁上；

上电极，填充所述开口，所述介电层位于所述下电极和所述上电极之间。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述环状壁和所述瓣状壁的材质不同。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述环状壁的材质包括导电的半导体材料、导电聚合物材料或导电的非结晶材料中的任一种或其任意组合，所述瓣状壁的材质包括含有金属元素的导电材料。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，多个所述下电极呈蜂窝状排布，位于相邻的所述下电极中的所述开口的瓣状壁边界在同一圆周上。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成三个分立的开口。

14.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层还位于所述环状壁的顶部和外壁以及所述瓣状壁的顶部。