[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：在基底上形成若干下电极，所述下电极包括沿垂直所述基底表面方向延伸的环状壁和瓣状壁，并且所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成若干分立的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成介电层；在所述第一开口中形成上电极，所述介电层位于所述下电极和所述上电极之间。本发明的下电极包括环状壁和瓣状壁，使得下电极的表面积增大，后续在下电极上形成介电层和相应的上电极时，介电层和上电极的表面积也会相应的增大，从而增大了形成的半导体结构的电容值。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着制程工艺持续演进，DRAM集成度不断提高，元件尺寸不断地微缩，电容器储存电荷容量也面临考验。电容器的电容值亟待提升。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样提高半导体结构的电容值。

本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干下电极，所述下电极包括沿垂直所述基底表面方向延伸的环状壁和瓣状壁，并且所述瓣状壁将所述环状壁内部分割成若干分立的第一开口；

在所述第一开口的底部和侧壁上形成介电层；

在所述第一开口中形成上电极，所述介电层位于所述下电极和所述上电极之间。

可选的，所述在所述基底上形成若干所述下电极，包括：

在所述基底上形成第一导电层；

刻蚀所述第一导电层形成若干第一导电柱和所述第一导电柱之间的第二开口；

形成填充所述第二开口的第一介质层；

刻蚀所述第一导电柱形成所述环状壁和第三开口；

在所述第三开口中填充第二导电层形成第二导电柱；

在所述第二导电柱上方形成暴露出部分所述第二导电柱的掩膜开口层；

利用所述掩膜开口层刻蚀所述第二导电柱形成所述瓣状壁。

可选的，所述在所述第三开口中填充第二导电层形成第二导电柱之前，还包括：

在所述环状壁的表面形成阻挡层。

可选的，所述掩膜开口层具有开口图案，所述开口图案暴露出相邻的若干个所述第二导电柱的部分上表面。

可选的，所述第一导电柱和所述第二导电柱的中心轴重合。

可选的，所述开口图案和所述第二导电柱的交叠区域的形状和大小相同。

可选的，还包括：

在所述基底上形成接触垫，所述接触垫具有凸出所述基底表面的凸部；

所述环状壁的下部包裹所述凸部的侧壁。

可选的，还包括：

去除所述第一介质层；

在所述环状壁的外壁和顶部表面形成所述介电层；