[发明专利]一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺

说明书

本发明为一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺。一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺，包括以下步骤：(1)预处理；(2)一级化成；(3)二级化成；(4)三级化成；(5)前段高温热处理；(6)将经过所述的步骤(5)处理后的铝箔，进行前端水煮处理或前段磷酸处理；(7)四级化成；(8)五级化成；(9)后段高温热处理1；(10)一次修复；(11)后段磷酸中处理；(12)二次修复；(13)后段高温热处理2；(14)三次修复；(15)后处理。本发明所述的一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺，可提升产品稳定性，可制得高压高容低缺陷的化成箔。

技术领域

本发明属于电极箔技术领域，具体涉及一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺。

背景技术

铝电解电容器(以下简称“电容器”)是一种在调谐、耦合、滤波等电路中有重要作用的电子元件，大量用于家电和数码产品中。随着电子技术的发展，电子产品更新速度越来越快，相关行业对电容器性能要求越来越高。作为电容器的核心材料，铝电解电容器用阳极箔(以下简称“化成箔”)的性能很大程度上影响了电容器的性能。

目前腐蚀箔采用阳极氧化原理，根据对电极箔耐压值要求，采用不同的阳极氧化电压(Vf)，在其表面生成Al₂O₃氧化薄膜作为介电质，制成化成箔。大多数化成技术采用硼酸和带有铵根的无机盐多级化成法，将纯度大于等于99.99％铝箔经过水煮，形成一层水合氧化膜后，加电阳极氧化。在硼酸体系中，使用无机盐及有机酸进行化成，经多段阳极氧化、高温热处理暴露缺陷后，用磷酸系进行抗水合处理，再通过硼酸系修补，经过磷酸盐处理后形成一层磷酸铝膜，烘干收卷，避免收卷的化成箔中含水导致氧化膜劣化。

目前多数厂家通过有机酸化成液和后段高温热处理的流程，提高氧化铝膜结晶度，从而达到提容的效果，满足市场对化成箔容量的需求。因此类氧化铝膜结晶度较高，缺陷较多，导致化成箔制成电容器后使用寿命偏短。为了提升产品使用寿命，传统方法在有机酸化成液中添加少量硼酸，但此方法往往会造成2％以上的容量损失。

有鉴于此，本发明提出一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺，

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺，在搭配使用多种有机酸添加剂提升氧化膜静电容量的同时，在前段化成引入高温热处理，可使氧化膜内侧的结晶度提升，同时降低后段高温热处理温度，可降低氧化膜外层由于结晶度过高所造成的缺陷，从而提高氧化膜质量。同时在前段高温热处理后引入磷酸处理，通过磷酸处理溶解表层疏松的水合膜，有效降低化成箔1小时水煮升压时间(以下简称TR60)。

为了实现上述目的，所采用的技术方案为：

一种高压高容低缺陷阳极箔的混酸化成工艺，包括以下步骤：

(1)预处理：将铝箔在97℃以上的水中处理12min；

(2)一级化成：将经过所述的步骤(1)处理后的铝箔，在一级化成溶液中进行一级化成，化成时间9min；

所述的一级化成溶液中含有2.5g/L的柠檬酸和2g/L的柠檬酸三铵；

(3)二级化成：将经过所述的步骤(2)处理后的铝箔，在二级化成溶液中进行二级化成，化成时间9min；

所述的二级化成溶液中含有2.5g/L的柠檬酸和2g/L的柠檬酸三铵；

(4)三级化成：将经过所述的步骤(3)处理后的铝箔，在三级化成溶液中进行三级化成，化成时间9min；

所述的三级化成溶液中含有0.7g/L的己二酸和0.3g/L的己二酸铵；

(5)前段高温热处理：将经过所述的步骤(4)处理后的铝箔，在450℃下处理1min；

(6)将经过所述的步骤(5)处理后的铝箔，进行前端水煮处理或前段磷酸处理；