[发明专利]封装结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202011048755.0 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN113451285A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 陈志豪;高金福;郑礼辉;卢思维;潘志坚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

提供一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括第一管芯、第二管芯、中介层、底部填充层、热界面材料及粘合剂图案。所述第一管芯及所述第二管芯并排设置在所述中介层上。所述底部填充层设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间。所述热界面材料设置在所述第一管芯、所述第二管芯及所述底部填充层上。所述粘合剂图案设置在所述底部填充层与所述热界面材料之间,以将所述底部填充层与所述热界面材料分隔开。

技术领域

发明实施例涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术

在集成电路的封装中,半导体管芯可通过接合来堆叠,且可接合到例如中介层及封装衬底等的其他封装组件。所得封装体被称为三维集成电路(Three-DimensionalIntegrated Circuit,3DIC)。热量耗散是3DIC中的一项挑战。

在典型的3DIC中,散热器粘附到半导体管芯,以耗散从半导体管芯产生的热量。然而,例如底部填充剂、模塑化合物等包封材料存在有与散热器的粘附性不良,从而导致散热器与包封材料之间的脱层问题。因此,3DIC技术面临许多待解决的挑战。

发明内容

本发明实施例提供一种封装结构包括第一管芯、第二管芯群组、中介层、底部填充层、热界面材料(TIM)及粘合剂图案。所述第一管芯及所述第二管芯群组并排设置在所述中介层上。所述底部填充层设置在所述第一管芯与所述第二管芯群组之间。所述TIM设置在所述第一管芯、所述第二管芯群组及所述底部填充层上。所述粘合剂图案设置在所述底部填充层与所述TIM之间,以将所述底部填充层与所述TIM分隔开。

本发明实施例提供一种封装结构包括第一管芯、第二管芯、中介层、底部填充层及热界面材料(TIM)。所述第一管芯及所述第二管芯并排设置在所述中介层上。所述底部填充层设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间。所述TIM设置在所述第一管芯、所述第二管芯及所述底部填充层上。所述TIM的边缘厚度大于所述TIM的中心厚度。

本发明实施例提供一种形成封装结构的方法包括:将第一管芯及第二管芯接合到中介层上;将底部填充层点胶在所述第一管芯与所述第二管芯之间;形成第一包封体,以横向包封所述第一管芯、所述第二管芯及所述底部填充层;在所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述底部填充层上及在所述第一包封体上形成粘合剂图案;以及将热界面材料(TIM)点胶在所述粘合剂图案上。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1C是根据第一实施例形成封装结构的方法的剖视图。

图2是图1C所示封装结构的俯视图。

图3A及图3B是图1C所示封装结构的一部分的放大视图。

图4A至图4C是根据第二实施例形成封装结构的方法的剖视图。

图5A至图5D是根据第三实施例形成封装结构的方法的剖视图。

图6是根据第四实施例的封装结构的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本发明。当然,这些仅为实例而不旨在进行限制。例如,以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本发明可在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

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