[发明专利]一种芯片镀铜冷却切割设备在审
申请号: | 202011048884.X | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112366151A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 张波;虞文武;周辉锋 | 申请(专利权)人: | 常州机电职业技术学院;苏州策马机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬;芮雪萍 |
地址: | 213100 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 镀铜 冷却 切割 设备 | ||
本发明涉及芯片加工技术领域,具体公开了一种芯片镀铜冷却切割设备,包括固定支撑机构、滑板平移机构与冷却切割机构,所述固定支撑机构由切割平台、升降缸与顶部固定板构成,所述滑板平移机构由滑板组件I与板组件II构成,所述冷却切割机构由导向座、驱动电机I、转轴、旋转座与冷却切割刀头构成;本发明中,通过冷却片对整个冷却切割刀头进行实时的主动冷却,使冷却切割刀头在高速旋转切割过程中,所产生的热量被瞬时的吸收,使其热量不会向芯片表面传导,降低了芯片表面热变形,提高加工的精度;通过冷却片对冷却切割刀头冷却,使下刀盘座的刀尖不会出现积热变形,提高了加工精度,同时提高了刀片的使用寿命。
技术领域
本发明涉及芯片加工技术领域,具体为一种芯片镀铜冷却切割设备。
背景技术
芯片加工中,芯片表面镀铜的切割是其中一个重要环节,在芯片加工过程中,需要通过在芯片表面镀铜将芯片内的晶体管连接起来,然后通过表面切割,将芯片表面多余的镀铜切除,现有技术中的切割设备通常采用普通的高速切割方法,将芯片表面多余镀铜切除,该种设备操作简单,可以满足一般的使用要求,但它在实际使用的过程中仍存在以下弊端:
1.现有技术中的切割设备,对芯片表面进行高速切割使,会因切割摩擦而产生大量的热,而切割刀头因为高热与芯片表面接触时,会使芯片表面的铜镀层发生一定的热胀冷缩变形,因此加工冷却后其表面的加工精度降低,影响芯片的表面精度;
2.现有技术中的切割设备,其切割刀头的结构较为简单,在高速旋转与切削加工的过程中,散热量有限,因此容易在刀尖处产生大量的积热,导致刀尖变形,影响切割精度,并且长时间的高温切割,容易降低刀具的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片镀铜冷却切割设备,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种芯片镀铜冷却切割设备,包括固定支撑机构、固定支撑机构下端所设的滑板平移机构与固定支撑机构上端所设的冷却切割机构,所述固定支撑机构由切割平台、切割平台上端面四角位置处所设的升降缸与升降缸上端固定连接的顶部固定板构成,所述滑板平移机构由切割平台上端所设的滑板组件I与滑板组件I上端所设的滑板组件II构成,所述冷却切割机构由顶部固定板下端所设的导向座、顶部固定板上端固定安装的驱动电机I、导向座中间套接的转轴、转轴下端固定连接的旋转座与旋转座下端固定连接的冷却切割刀头构成;
所述滑板组件I由下托板、侧支座I、螺杆I与驱动电机II构成,所述滑板组件II由上托板、侧支座II、螺杆II与驱动电机II构成。
优选的,所述切割平台上端面中间的左右两侧对称设有两条滑槽I,所述侧支座I对称固定安装在滑槽I前后两端面的中间位置处,所述螺杆I的两端与侧支座I通过轴承相套配,所述驱动电机II固定安装在侧支座I的外侧面上,且驱动电机II的主轴与螺杆I的轴端通过联轴器固定相连。
优选的,所述侧支座II对称固定安装在下托板左右两端的中间位置处,所述螺杆II的两端与侧支座II通过轴承相套配,所述驱动电机II固定安装在侧支座II的外侧面上,且驱动电机II的主轴与螺杆II的轴端通过联轴器固定相连。
优选的,所述下托板的下端左右对称设有与滑槽I相滑配的滑轨I,所述螺杆I与下托板在下托板的中间位置处相螺接,所述下托板的上端面上左右对称开设有两条滑槽II。
优选的,所述上托板的下端左右对称设有与滑槽II相滑配的滑轨II,所述螺杆II与上托板在上托板的中间位置处相螺接。
优选的,所述导向座的中间设有轴承孔,且此轴承孔通过轴承与转轴相套配,所述转轴的上端通过联轴器与驱动电机I的主轴相固定连接,所述转轴的下端通过螺栓与旋转座的上端固定相连。
优选的,所述旋转座由圆柱形结构的连接块构成,且在连接块的下端开设有锥面槽体结构的接插槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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