[发明专利]刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法

权利要求书

1.一种改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，所述刻蚀机的工作腔包括多个刻蚀区，所述方法包括以下步骤：

预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；

确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有所述目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有所述目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；

选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；

在所述部分工作模式下，使得对所述目标刻蚀区的目标晶片，与，对所述闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。

2.如权利要求1所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，所述预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式的步骤，包括：

通过判断所述刻蚀机各个刻蚀区中是否放置有目标晶片，确定所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；

若所述刻蚀机至少一个刻蚀区中未放置有所述目标晶片，确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式。

3.如权利要求1所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，在所述使得对所述目标刻蚀区的目标晶片，与，对所述闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致刻蚀操作的步骤结束后，从所述闲置刻蚀区中取出所述模拟晶片，从所述目标刻蚀区中取出所述目标晶片。

4.如权利要求1所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，所述刻蚀机的工作腔有两个刻蚀区时，所述预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式的步骤，包括：

预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为单区工作模式。

5.如权利要求4所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，所述确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中的步骤，包括：

确定所述刻蚀机的后续工作为单区工作模式时，一目标晶片放置于一刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，另一刻蚀区为闲置刻蚀区。

6.如权利要求1所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法，其特征在于，所述目标晶片的图层结构与所述模拟晶片的图层结构一致。

7.一种刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机用于执行如权利要求1～6中任一项所述的改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法；所述刻蚀机包括：

工作台，所述工作台对应设置于各个所述刻蚀区中，用于承载所述目标晶片或模拟晶片；

下电极，所述下电极对应设置于各个所述工作台中；

射频单元，各个所述下电极均连接所述射频单元，所述射频单元用于给各个所述下电极提供射频波；

反应气体喷淋头，所述反应气体喷淋头对应设置于各个所述工作台的上方，用于向对应的工作台喷淋反应气体；

反应气体供应系统，各个所述反应气体喷淋头均连接在所述反应气体供应系统上。

8.如权利要求7所述的刻蚀机，其特征在于，所述射频单元包括：

偏置射频单元，各个所述下电极均连接所述偏置射频单元，所述偏置射频单元用于给各个所述下电极提供偏置射频波，所述偏置射频波能够使得所述目标晶片或模拟晶片吸附在对应的工作台上；

解离射频单元，各个所述下电极均连接所述解离射频单元，所述解离射频单元用于给各个所述下电极提供解离射频波，所述解离射频波能够将所述反应气体解离为等离子体。

9.如权利要求8所述的刻蚀机，其特征在于，所述偏置射频波的频率范围为1.5MHZ～2.5MHZ。

10.如权利要求8所述的刻蚀机，其特征在于，所述解离射频波的频率范围为50MHZ～70MHZ。