[发明专利]刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法有效

专利信息
申请号: 202011049322.7 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112185810B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 白宇;丁奥博;孟艳秋 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/67
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 刻蚀 改善 不同 工作 环境 差异 方法
【说明书】:

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中,方法包括以下步骤:预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式;确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时,目标晶片放置于部分刻蚀区中;放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区,未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区;选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中;在部分工作模式下,使得对目标刻蚀区的目标晶片,与,对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中,刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形,产生工作环境差异的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。

背景技术

刻蚀工艺是半导体集成电路制造领域重要的一环,传统刻蚀机的产量相对较低,现有的双扫描刻蚀机是三层刻蚀中常用的一种机台类型。该双扫描刻蚀机的工作腔中有两个刻蚀区,能够分别对放置其中的晶片进行刻蚀,可以大幅度提高机台的产量,降低机台成本。

在使用该双扫描刻蚀机对晶片进行刻蚀操作时,会出现两个刻蚀区同时工作的情形,和,仅有一个刻蚀区单独工作的情形,且此两种不同的工作情形会交替进行。

但是,相关技术在进行仅有一个刻蚀区单独工作的情形时,另一刻蚀区停止工作,因此,在刻蚀结束后两个刻蚀区的环境产生差异。在此基础上,若两个刻蚀区开始同时工作,会使得两个刻蚀区在同一工艺进程所刻蚀形成的图案差别较大,导致晶片的误差率增大。

发明内容

本申请提供了一种刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法,可以解决相关技术中,刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形,产生工作环境差异的问题。

作为本申请的第一方面,提供一种改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法,所述刻蚀机的工作腔包括多个刻蚀区,所述方法包括以下步骤:

预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式;

确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式时,目标晶片放置于部分刻蚀区中;放置有所述目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区,未放置有所述目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区;

选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中;

在所述部分工作模式下,使得对所述目标刻蚀区的目标晶片,与,对所述闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。

可选的,所述预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式的步骤,包括:

通过判断所述刻蚀机各个刻蚀区中是否放置有目标晶片,确定所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式;

若所述刻蚀机至少一个刻蚀区中未放置有所述目标晶片,确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式。

可选的,在所述使得对所述目标刻蚀区的目标晶片,与,对所述闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致刻蚀操作的步骤结束后,从所述闲置刻蚀区中取出所述模拟晶片,从所述目标刻蚀区中取出所述目标晶片。

可选的,所述刻蚀机的工作腔有两个刻蚀区时,所述预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式的步骤,包括:

预先判断所述刻蚀机的后续工作是否为单区工作模式;

可选的,所述确定所述刻蚀机的后续工作为部分工作模式时,目标晶片放置于部分刻蚀区中的步骤,包括:

确定所述刻蚀机的后续工作为单区工作模式时,一目标晶片放置于一刻蚀区中;放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区,另一刻蚀区为闲置刻蚀区。

可选的,所述目标晶片的图层结构与所述模拟晶片的图层结构一致。

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