[发明专利]像素结构、阵列基板

权利要求书

1.像素结构，其特征在于：包括主区子像素、中区子像素、次区子像素；所述主区子像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容、第一公共电极和第二公共电极，所述次区子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容、第三薄膜晶体管、第一电荷分享电容、第二电荷分享电容、第一公共电极和第二公共电极，所述中区子像素包括第四薄膜晶体管、第三液晶电容、第三存储电容、第五薄膜晶体管、第一公共电极、第二公共电极和共享电极；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与下一栅极线Gn+1连接，所述栅极线Gn与下一栅极线Gn+1为相邻设置，其中n是自然数；所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的源极与数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一存储电容与所述第二公共电极连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一电荷分享电容与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的源极经所述第二电荷分享电容与所述第二公共电极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极经所述第三液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极经所述第三存储电容与所述第二公共电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第五薄膜晶体管的源极连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述共享电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极经所述第三液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极经所述第三存储电容与所述第二公共电极连接，所述第一公共电极加载液晶显示面板彩膜基板一侧的公共信号，所述第二公共电极加载液晶显示面板阵列基板一侧的公共信号。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第五薄膜晶体管沟道的宽度与沟道的长度比小于所述第四薄膜晶体管沟道的宽度与沟道的长度比。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一公共电极采用透明导电材料制成。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于：所述第一公共电极采用氧化铟锡薄膜制成。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二公共电极采用导电金属材料制成。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于：所述第二公共电极采用铜或铝制成。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一存储电容、所述第二存储电容、所述第三存储电容由储存电极与相对的第二公共电极形成。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一液晶电容、所述第二液晶电容、所述第三液晶电容均由氧化铟锡薄膜与相对的第一公共电极形成。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一公共电极、所述第二公共电极、所述共享电极加载的均为直流电压信号，所述共享电极的电压幅度可调节。

10.阵列基板，其特征在于：包括由若干如权利要求1-9任意一项所述的像素结构组成的阵列，相邻两列像素结构之间形成列反转模式，相邻数据线之间电压信号相异。