[发明专利]像素结构、阵列基板

说明书

本发明提供像素结构及阵列基板，像素分为3个子像素，即主区子像素、中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上，进而进行控制液晶电容的充放电，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上，Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上，控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连，控制中区子像素的电压。中区子像素中共享电极(Sharebarcom)的电压为直流电压，可以方便调节，有助于改变液晶的导向，改善视角。阵列基板采用列反转模式加交叉充放电架构，进而形成点反转模式，可以有效减小显示面板的闪烁，以及减小功耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及像素结构、阵列基板。

背景技术

LCD(Liquid crystal displays,液晶显示器)主要是通过薄膜晶体管(Thin FilmTransist,TFT)调制背光源光场强度来实现画面显示，已成为电视应用中的主流平板显示(Flat Panel Display，FPD)技术。多畴垂直配向型(Multi-Vertical Alignment,MVA)模式以其无摩擦过程、高对比度、宽视角、响应时间快等特点得到了广泛的应用。

然而，多畴垂直配向型液晶显示面板的液晶分子在不同视野角度下的双折射的差异较大，导致垂直配向型液晶显示面板出现大视角色偏，低色偏是垂直配向型液晶显示面板的一贯追求。

目前，随着液晶显示面板的快速发展，满足垂直配向型液晶显示面板日益增加的大视角低色偏需求成为亟需解决的问题。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供像素结构，通过控制主区子像素、中区子像素、次区子像素的电压，实现12畴显示，在不大幅降低开口率的情况下，改善液晶显示面板的大视角色偏。

为实现上述目的之一，本发明采用如下技术方案：

像素结构，包括主区子像素、中区子像素、次区子像素；所述主区子像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容、第一公共电极和第二公共电极，所述次区子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容、第三薄膜晶体管、第一电荷分享电容、第二电荷分享电容、第一公共电极和第二公共电极，所述中区子像素包括第四薄膜晶体管、第三液晶电容、第三存储电容、第五薄膜晶体管、第一公共电极、第二公共电极和共享电极；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极与栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与下一栅极线连接，所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的源极与数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一存储电容与所述第二公共电极连接，所述第一薄膜晶体管的漏极经所述第一电荷分享电容与所述第三薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的源极经所述第二电荷分享电容与所述第二公共电极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极经所述第三液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极经所述第三存储电容与所述第二公共电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第五薄膜晶体管的源极连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述共享电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极经所述第三液晶电容与所述第一公共电极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极经所述第三存储电容与所述第二公共电极连接，所述第一公共电极加载液晶显示面板彩膜基板一侧的公共信号，所述第二公共电极加载液晶显示面板阵列基板一侧的公共信号。

进一步地，所述第五薄膜晶体管沟道的宽度与沟道的长度比小于所述第四薄膜晶体管沟道的宽度与沟道的长度比。

进一步地，所述第一公共电极采用透明导电材料制成。

进一步地，所述第一公共电极采用氧化铟锡薄膜制成。

进一步地，所述第二公共电极采用导电金属材料制成。