[发明专利]包括重布局层的微电子装置

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

重布局层，其包括：

阻挡材料；

介电材料，其位于所述阻挡材料上方；及

金属段，其位于所述介电材料的开口内；

钝化材料，其位于所述重布局层上；

连接件，其直接位于所述重布局层上方，所述钝化材料直接位于最靠近所述连接件的重布局层的所述介电材料上，且所述连接件延伸穿过所述钝化材料中的开口，其中最靠近所述连接件的所述重布局层的所述介电材料和所述金属段彼此共面；及

至少一个裸片，其使用所述连接件连接到最靠近所述连接件的所述重布局层的所述金属段，所述连接件中的每一者包括与所述至少一个裸片和最靠近所述连接件的所述重布局层的所述金属段直接接触的单个导电材料。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中邻近所述重布局层并且位于其相对侧上的电路仅通过所述重布局层电连接到所述至少一个裸片。

3.根据权利要求2所述的微电子装置，其还包括附加连接件，所述附加连接件延伸穿过位于所述重布局层的所述相对侧上的另一钝化材料中的开口。

4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述附加连接件直接连接到最靠近所述附加连接件的重布局层的所述金属段。

5.根据权利要求3所述的微电子装置，其还包括位于所述附加连接件与最靠近所述附加连接件的重布局层的所述金属段之间的凸块底层金属化UBM材料。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中位于邻近的重布局层的所述金属段之间的阻挡材料与延伸穿过所述阻挡材料的开口的通孔不连续。

7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中最靠近所述至少一个裸片的所述重布局层的所述金属段的厚度相对大于位于所述至少一个裸片的远端的其余重布局层的所述金属段的厚度。

8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中最靠近所述至少一个裸片的所述重布局层的所述金属段和所述介电材料中的每一者的厚度基本上彼此相等。

9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述连接件包括焊料凸块或焊球，且所述重布局层的所述金属段包括铜、铝或它们的组合物。

10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述钝化材料的材料组成不同于所述阻挡材料和所述介电材料中的每一者的组成。

11.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述微电子装置没有硅穿孔或硅基板。

12.一种微电子装置，其包括：

重布局层，其邻近基体材料，所述重布局层中的每一者包括横向邻近金属材料的介电材料；

至少一个裸片，其邻近所述重布局层，所述至少一个裸片仅通过所述重布局层电连接到所述基体材料，其中最靠近所述至少一个裸片的重布局层的所述介电材料和所述金属材料彼此共面；

钝化材料，其位于所述重布局层与所述至少一个裸片之间，所述钝化材料与最靠近所述至少一个裸片的所述重布局层的所述介电材料直接接触；及

连接件，其位于所述重布局层与所述至少一个裸片之间，所述连接件包括与所述至少一个裸片和最靠近所述至少一个裸片的所述重布局层的所述金属材料直接接触的单个元件。

13.根据权利要求12所述的微电子装置，其还包括：

另一钝化材料，其位于所述重布局层与所述基体材料之间；及

附加连接件，其位于所述重布局层和所述基体材料之间，所述附加连接件中的每一者包括将所述基体材料电连接到最靠近所述基体材料的重布局层的所述金属材料的单个元件。

14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述另一钝化材料与最靠近所述基体材料的所述重布局层的所述介电材料直接接触，所述附加连接件延伸穿过所述另一钝化材料。