[发明专利]包括重布局层的微电子装置

说明书

本发明公开了一种包括重布局层的微电子装置。该微电子装置包含基板、第一连接件、重布局层、第二连接件以及晶片。第一连接件设置于基板上。重布局层直接设置于第一连接件上，并借由第一连接件连接至基板。重布局层包含阻挡层以及位于阻挡层上的金属层。第二连接件直接设置于重布局层上，且晶片借由第二连接件连接至重布局层。借此，本发明的封装体结构及其制备方法去除硅穿孔，并省略硅基板的研磨工艺，故具有简单的制备流程以及低制备成本。

本申请为发明名称为“封装体结构及其制备方法”、申请号为201510607208.4、申请日为2015年9月22日的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种封装体结构及其制备方法，特别是涉及一种无穿孔的封装体结构及其制备方法。

背景技术

随着半导体装置的制造技术的演进，半导体装置的功能密度随着装置尺寸的减少而上升，以达到更高的半导体装置集成密度。结果，半导体装置的尺寸减少以及密度增加，使得对封装技术的要求更为严峻。近来，随着对较小电子装置的需求的增加，创新的封装技术是必要的。

目前，于中介层(interposer)的中介基板层发展出穿孔(through via)，其具有额外的金属层在中介基板层上，以提高半导体装置的密度。然而，形成具有穿孔的中介基板层的工艺极为复杂。

因此，目前需要发展一种改良的封装体结构及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装体结构及其制备方法，其包含较简单的制备流程，因而具有较低的成本。

本发明的一实施例是提供一种封装体结构。封装体结构包含基板、第一连接件、重布局层、第二连接件以及晶片。第一连接件设置于基板上。重布局层直接设置于第一连接件上，并借由第一连接件连接至基板。重布局层包含阻挡层以及位于阻挡层上的金属层。第二连接件直接设置于重布局层上，且晶片借由第二连接件连接至重布局层。

在本发明的多个实施方式中，金属层包含介电层以及多个金属组件。金属段是设置于介电层内。

在本发明的多个实施方式中，第一连接件夹设于阻挡层中，并与金属层连接。

在本发明的多个实施方式中，阻挡层的材料为碳化硅、氮化硅或其组合。

在本发明的多个实施方式中，封装体结构包含多个重布局层。

在本发明的多个实施方式中，这些金属层是水平排列，且不同金属层是借由多个导电柱连接，且导电柱是贯穿金属层间的阻挡层。

在本发明的多个实施方式中，第一连接件夹设于最底层的阻挡层中，并连接最底层的金属层与基板。

在本发明的多个实施方式中，第一连接件与第二连接件是独立为焊料凸块或焊球。

在本发明的多个实施方式中，封装体结构还包含钝化层，其位于基板与重布局层之间，且第一连接件夹设于钝化层中。

在本发明的多个实施方式中，钝化层的材料为氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚苯恶唑(polybenzoxazole，PBO)或其组合。

本发明的另一实施例是提供一种制备封装体结构的方法，其包含以下步骤。形成重布局层，包含形成金属层，以及在金属层上形成阻挡层。直接在重布局层的第一侧上形成第一连接件。直接在重布局层的相对于第一侧的第二侧上形成第二连接件。借由第二连接件连接重布局层的第二侧与晶片。借由第一连接件连接重布局层的第一侧与基板。

在本发明的多个实施方式中，形成重布局层是在第一载体上形成。