[发明专利]图像传感器芯片级封装及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造图像传感器芯片级封装的方法，包括：

用临时粘合剂将玻璃晶片接合至包括图像传感器阵列的器件晶片；

在所述接合之后，将所述器件晶片的厚度减小到小于100微米；

从所述器件晶片中移除多个传感器间区域中的每个，每个传感器间区域均位于所述图像传感器阵列的相应的一对图像传感器之间，以形成隔离管芯晶片，所述隔离管芯晶片包括多个图像传感器管芯，每个图像传感器管芯均包括接合至所述玻璃晶片的所述图像传感器阵列的相应图像传感器；

封装所述隔离管芯晶片，以形成封装管芯晶片；

从所述多个图像传感器管芯的每个中移除覆盖所述相应图像传感器的所述玻璃晶片的相应区域；以及

将所述封装管芯晶片单体化。

2.根据权利要求1所述的方法，移除所述玻璃晶片的相应区域包括：从所述隔离管芯晶片移除所述玻璃晶片，并且在从所述隔离管芯晶片移除所述玻璃晶片之后，进行将所述封装管芯晶片单体化。

3.根据权利要求2所述的方法，所述单体化产生所述图像传感器芯片级封装，并且所述方法还包括：在移除所述玻璃晶片的相应区域之后且在所述单体化之后，将所述图像传感器芯片级封装表面安装至印刷电路板。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单体化发生在移除所述玻璃晶片的相应区域之前，并且包括：将所述封装管芯晶片和接合至所述封装管芯晶片的所述玻璃晶片二者单体化，并产生具有覆盖玻璃的所述图像传感器芯片级封装，所述覆盖玻璃接合至所述图像传感器芯片级封装并且对应于所述玻璃晶片的所述相应区域。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述单体化之后和移除所述玻璃晶片的所述相应区域之前，将所述图像传感器芯片级封装表面安装至印刷电路板。

6.根据权利要求1所述的方法，封装所述隔离管芯晶片包括：用模制化合物封装所述隔离管芯晶片。

7.根据权利要求6所述的方法，用模制化合物封装所述隔离管芯晶片包括以下中的一个：压缩模制所述模制化合物和传递模制所述模制化合物。

8.根据权利要求6所述的方法，所述模制化合物在低于其玻璃化转变温度的温度下具有小于15ppm/K的第一热膨胀系数，以及在高于所述玻璃化转变温度的温度下具有小于30ppm/K的第二热膨胀系数。

9.根据权利要求6所述的方法，所述模制化合物具有超过24GPa的杨氏模量。

10.根据权利要求6所述的方法，所述模制化合物包括环氧树脂、催化剂和脱模剂。

11.根据权利要求6所述的方法，所述模制化合物包括无机填充剂，所述无机填充剂的质量分数在70％与80％之间。

12.一种图像传感器芯片级封装，包括：

半导体管芯，具有小于100微米的厚度，并且包括图像传感器，所述图像传感器配置为检测入射到所述半导体管芯的顶侧上的光；

电介质层，在所述半导体管芯的与所述顶侧相对的底侧上，所述底侧位于所述电介质层和所述顶侧之间；

封装层，由模制化合物形成，所述电介质层在所述封装层和所述半导体管芯之间；以及

多个导电元件，每个导电元件均电连接至所述图像传感器，直径在一百微米与五百微米之间，以及穿过所述封装层突出。

13.根据权利要求12所述的图像传感器芯片级封装，所述模制化合物在低于其玻璃化转变温度的温度下具有小于15ppm/K的第一热膨胀系数，以及在高于所述玻璃化转变温度的温度下具有小于30ppm/K的第二热膨胀系数。

14.根据权利要求13所述的图像传感器芯片级封装，其中，所述玻璃化转变温度在140℃与180℃之间。