[发明专利]图像传感器芯片级封装及制造方法

说明书

一种用于制造图像传感器芯片级封装的方法，包括用临时粘合剂将玻璃晶片接合至包括图像传感器阵列的器件晶片。该方法还包括通过从器件晶片中移除多个传感器间区域中的每个来形成隔离管芯晶片，每个传感器间区域均位于图像传感器阵列的相应一对图像传感器之间。隔离管芯晶片包括多个图像传感器管芯，每个图像传感器管芯均包括接合至玻璃晶片的图像传感器阵列的相应图像传感器。该方法还包括封装隔离管芯晶片以形成封装的管芯晶片；从多个图像传感器管芯中的每个中移除覆盖相应图像传感器的玻璃晶片的相应区域；以及将封装的管芯晶片单体化。

技术领域

本申请涉及一种传感器芯片级封装及制造方法，更具体地，涉及一种图像传感器芯片级封装及制造方法。

背景技术

在诸如独立式数码相机、移动设备、汽车部件和医疗设备的消费设备中的相机模块经常封装在包括透镜组件和图像传感器的芯片级封装(CSP)中。CSP通常包括用于保护图像传感器免受损坏的覆盖玻璃。这种保护是有代价的。消费者为前述消费设备的紧凑性支付额外费用，但覆盖玻璃会增加CSP的高度，这使设备设计者面临保护图像传感器的价值与其增加尺寸的成本之间的权衡。当相机模块捕获图像时，覆盖玻璃还减少了到达图像传感器的光量，这又降低了图像质量。

发明内容

一种用于制造图像传感器芯片级封装的方法，包括用临时粘合剂将玻璃晶片接合至包括图像传感器阵列的器件晶片。该方法还包括通过从器件晶片中除多个传感器间区域中的每个来形成隔离管芯(isolated-die)晶片，每个传感器间区域均于图像传感器阵列的相应一对图像传感器之间。隔离管芯晶片包括多个图像传感器管芯，每个图像传感器管芯均包括接合到玻璃晶片的像传感器阵列的相应图像传感器。该方法还包括(a)封装隔离管芯晶片以形成封装的管芯晶片，(b)从多个图像传感器管芯中的每个中移除覆盖相应图像传感器的玻璃晶片的相应区域，以及(c)将封装的管芯晶片单体化。

一种图像传感器芯片级封装，包括半导体管芯、由模制化合物形成的封装层、以及多个导电元件。半导体管芯具有小于100微米的厚度并且包括图像传感器，该图像传感器配置为检测入射到半导体管芯的顶侧上的光。所述层由模制化合物形成，并且位于半导体管芯的与顶侧相对的底侧上。多个导电元件中的每个(a)均电连接至图像传感器，(b)具有在一百微米和五百微米之间的直径，以及(c)穿过封装层突出。

附图说明

图1描绘实施方式中的包括图像传感器芯片级封装的相机。

图2是实施方式中的第一图像传感器芯片级封装的剖面示意图。

图3和图4分别是实施方式中的第二图像传感器芯片级封装的示意性剖视图和示意性平面图。

图5是在实施方式中可由其形成第二图像传感器芯片级封装的晶片组件的剖视图。

图6是在实施方式中的图5的晶片组件在芯片级封装过程之后的隔离管芯晶片的剖视图。

图7是在实施方式中的图6的隔离管芯晶片在施加封装层之后的封装管芯晶片的剖视图。

图8是在实施方式中的图7的封装管芯晶片从中移除玻璃晶片之后的晶片组件的剖视图。

图9是在实施方式中的图像传感器芯片级封装的剖视图，通过将图7的封装管芯晶片单体化产生多个图像传感器芯片级封装。

图10是示出在实施方式中用于制造图像传感器芯片级封装的第一方法的流程图。

图11是示出在实施方式中用于制造图像传感器芯片级封装的第二方法的流程图。

具体实施方式