[发明专利]图像传感器和操作成像装置的方法在审
申请号: | 202011051961.7 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112866592A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 尹浈斌;金焕雄;沈殷燮;李景镐;李泓锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/378;H04N5/14;H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 操作 成像 装置 方法 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
第一像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;
第二像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;
第三像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;以及
第四像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,
其中,所述第一像素的第二浮置扩散区和所述第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接,并且
其中,所述第二像素的第三浮置扩散区和所述第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个还包括至少一个光电二极管。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个包括:
传输晶体管,被配置为:基于传输栅极信号将所述至少一个光电二极管与第一浮置扩散节点连接,所述第一浮置扩散节点与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第一浮置扩散区对应;以及
第一转换增益晶体管,被配置为:基于第一转换增益信号将所述第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点连接,所述第二浮置扩散节点与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第二浮置扩散区对应。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一像素和所述第四像素中的每个包括复位晶体管,所述复位晶体管被配置为:基于复位栅极信号向所述第一像素和所述第四像素中的每个的第二浮置扩散节点提供像素驱动电压。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第二像素和所述第三像素中的每个包括第二转换增益晶体管,所述第二转换增益晶体管被配置为:基于第二转换增益信号将所述第二像素和所述第三像素中的每个的第二浮置扩散节点与对应于所述第二像素和所述第三像素中的每个的第三浮置扩散区的第三浮置扩散节点连接。
6.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第三像素的第二浮置扩散区和所述第四像素的第二浮置扩散区通过金属线连接。
7.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个包括:
源极跟随器晶体管,包括栅极和漏极,所述栅极连接到与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第一浮置扩散区对应的第一浮置扩散节点,所述漏极接收像素驱动电压;以及
选择晶体管,包括接收选择信号的栅极、连接到所述源极跟随器晶体管的源极的漏极和连接到输出线的源极。
8.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素彼此对称,
其中,所述第二像素和所述第三像素彼此对称,并且
其中,所述第三像素和所述第四像素彼此对称。
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