[发明专利]图像传感器和操作成像装置的方法

说明书

提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。

本申请要求于2019年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0144199号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及图像传感器、包括该图像传感器的成像装置及其操作方法。

背景技术

通常，图像传感器将光学图像转换成电信号。近来，随着计算机工业和通信工业的发展，在各个领域中对改善的图像传感器的需求正在增加。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。这些之中，CMOS图像传感器可以容易地驱动，并且信号处理电路可以集成在单个芯片上，从而使产品小型化。CMOS图像传感器还具有非常低的功耗，因此可以用于具有有限电池容量的产品中。另外，CMOS图像传感器可以与CMOS工艺技术互换使用，降低制造成本。因此，随着技术发展实现高分辨率，CMOS图像传感器的使用正在迅速增加。

发明内容

一个或多个示例实施例提供了根据操作模式来控制转换增益的图像传感器、包括该图像传感器的成像装置及其操作方法。

根据示例实施例的一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。

根据示例实施例的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，其中，第一像素至第四像素中的每个包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第一晶体管被配置为基于传输栅极信号将至少一个光电二极管与第一浮置扩散节点连接，第二晶体管被配置为基于第一转换增益信号将第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点连接，第三晶体管包括连接到第二浮置扩散节点的漏极，第四晶体管包括源极和栅极，源极连接到被配置为提供像素驱动电压的电源端子，栅极连接到第一浮置扩散节点，第五晶体管包括连接到第四晶体管的漏极的源极、连接到列线的漏极和被配置为接收选择信号的栅极，其中，第一像素的第二浮置扩散节点和第二像素的第二浮置扩散节点通过金属线连接，其中，第三像素的第二浮置扩散节点和第四像素的第二浮置扩散节点通过金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散节点和第三像素的第三浮置扩散节点通过金属线连接。

根据示例实施例的另一方面，提供了一种操作成像装置的方法，所述方法包括：从图像传感器接收操作模式；以及根据接收的操作模式来控制像素组的浮置扩散区的大小，其中，操作模式包括至少三个操作模式。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，示例实施例的以上和/或其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的成像装置10的图；

图2是示出根据示例实施例的图像传感器100的示图；

图3是示出根据示例实施例的像素组PXG的示图；

图4是示出用于图3中示出的像素组PXG的电路的示图；