[发明专利]OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示面板在审
申请号: | 202011053169.5 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN112117318A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 高志扬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐旭;陈岚 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种OLED阵列基板,包括衬底、以及布置在所述衬底上的第一电极层、像素定义层和有机材料功能层,
所述阵列基板包括发射不同颜色的光的多个发光区域,每个发光区域均包括有机材料功能层的部分;
所述像素定义层被配置成分隔所述多个发光区域,且像素定义层包括与所述多个发光区域对应的多个像素区域和处于相邻像素区域之间的间隔区域,
其中所述有机材料功能层包括依次布置在所述衬底上的第一功能层、发光层和第二功能层,所述多个发光区域的第一功能层被所述间隔区域的像素定义层分隔而彼此隔离,且对应于所述多个发光区域的第二功能层彼此相连为一体。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述第二功能层在衬底上的正投影的面积大于所述第一功能层在衬底上的正投影的面积,且所述第二功能层在衬底上的正投影的面积大于所述发光层在衬底上的正投影的面积。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述第一电极层位于所述衬底和所述像素定义层之间,在垂直于所述衬底的竖直方向上,处于所述间隔区域的所述像素定义层远离衬底一侧的表面距离第一电极层的高度小于所述有机材料功能层远离衬底一侧的表面距离第一电极层的高度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中对应于所述多个发光区域的第二功能层彼此相连而覆盖多个像素区域和多个间隔区域。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板,所述像素定义层的多个像素区域包括多个开口,所述第一功能层、所述发光层和所述第二功能层均有至少部分位于所述多个开口内。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,所述像素定义层的开口的侧壁包括与所述第一功能层直接接触的部分和与所述第二功能层直接接触的部分,且所述像素定义层的开口的面向对应的所述发光区域的侧壁与所述第一功能层直接接触的部分的坡度角大于所述像素定义层的开口的侧壁与所述第二功能层直接接触的部分的坡度角。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,所述第一功能层位于所述像素定义层的开口内部的部分在衬底上的正投影的面积小于第二功能层位于所述像素定义层的开口内部的部分在衬底上的正投影的面积。
8.根据权利要求1-4和6-7中任一项所述的阵列基板,其中所述像素定义层包括处于所述间隔区域的第一间隔部,所述第一间隔部在垂直于所述衬底的竖直方向上的厚度大于所述第一功能层在所述竖直方向上的厚度,以使得对应于所述各个像素区域的第一功能层彼此隔离。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其中所述像素定义层还包括处于所述第一间隔部远离衬底一侧的的第二间隔部,所述第一间隔部和所述第二间隔部的面向同一发光区域的侧壁彼此相连形成平滑过渡的表面,且所述第二间隔部在衬底上的正投影位于所述第一间隔部在衬底上的正投影内。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其中所述第二间隔部和所述第一间隔部在所述竖直方向上的厚度的和大于所述第一功能层和所述发光层在所述竖直方向上的厚度的和。
11.根据权利要求9或10所述的阵列基板,其中所述第一间隔部的侧壁与平行于衬底的一平面的夹角大于所述第二间隔部的侧壁与平行于衬底的一平面的夹角。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其中第一间隔部的侧壁与第一间隔部的下表面的夹角大于或等于60°,并且第二间隔部的侧壁与第二间隔部的下表面的夹角小于或等于30°。
13.根据权利要求9或10所述的阵列基板,其中直接相邻的两个所述第一间隔部之间的平行于所述衬底的平面的距离不大于直接相邻的两个所述第二间隔部之间的平行于所述衬底的平面的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的