[发明专利]芯片老化的静态时序分析方法、装置和电子设备

权利要求书

1.一种芯片老化的静态时序分析方法，其特征在于，包括：

基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库；

根据所述老化模型和所述目标芯片设计，获取所述目标芯片设计老化的寄生参数；

根据所述寄生参数和所述老化标准单元库，计算得到第一时序信息中的线延迟；

根据所述老化标准单元库，计算得到所述第一时序信息中的单元延迟；

对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库，包括：

获取所述目标芯片设计的老化参数；

根据所述老化参数、所述老化模型和所述目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：

根据所述第一时序信息中的路径信息，确定所述目标芯片设计的预测老化裕量；

根据所述预测老化裕量确定出所述目标芯片设计的老化性能是否满足需求，其中，当所述预测老化裕量为正表征所述目标芯片设计老化满足需求，当所述预测老化裕量表征为负表征所述目标芯片设计不满足老化需求。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：

根据所述标准单元库计算出所述目标芯片设计的第二时序信息；

将所述第一时序信息与所述第二时序信息进行对比，以确定出所述目标芯片设计的预测老化性能。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述第一时序信息与所述第二时序信息进行对比，以确定出所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：

将所述第一时序信息中的各条路径信息与所述第二时序信息对应的路径信息进行比较，以确定出所述第一时序信息中的各条路径信息对所述目标芯片设计的老化影响度；

根据所述第一时序信息中的各条路径信息的影响度，确定出所述目标芯片设计的预测老化性能。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述第一时序信息中的各条路径信息的影响度，确定出目标影响路径；

根据所述目标影响路径确定出产品调整策略。

7.一种芯片老化的静态时序分析装置，其特征在于，包括：

第一计算模块，用于基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库；

获取模块，用于根据所述老化模型和所述目标芯片设计，获取所述目标芯片设计老化的寄生参数；

第二计算模块，用于根据所述寄生参数和所述老化标准单元库，计算得到第一时序信息中的线延迟；根据所述老化标准单元库，计算得到所述第一时序信息中的单元延迟；

分析模块，用于对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如权利要求1至6任一所述的方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的方法的步骤。