[发明专利]芯片老化的静态时序分析方法、装置和电子设备

说明书

本申请实施例提供了一种芯片老化的静态时序分析方法、装置和电子设备，其中，该方法包括：基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库；根据所述老化模型和所述目标芯片设计，获取所述目标芯片设计老化的寄生参数；根据所述寄生参数和所述老化标准单元库，计算得到所述目标芯片设计的预测老化对应的第一时序信息；对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能。

技术领域

本申请涉及芯片设计技术领域，具体而言，涉及一种芯片老化的静态时序分析方法、装置和电子设备。

背景技术

目前的芯片的设计主要针对需要的功能进行设计和验证，关于产品的老化情况一般是在产品流片后，通过对芯片的真实的老化加速实验，进行产品老化测试，测试产品在对应的老化要求下是否满足条件。但是，如果仅在产品流片后，通过真实的老化加速实验，进行产品老化测试，则对芯片设计或芯片本身的影响不大。

发明内容

本申请的目的在于提供一种芯片老化的静态时序分析方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质，能够解决芯片的老化检测的相关问题。

第一方面，本发明实施例提供一种芯片老化的静态时序分析方法，包括：

基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库；

根据所述老化模型和所述目标芯片设计，获取所述目标芯片设计老化的寄生参数；

根据所述寄生参数和所述老化标准单元库，计算得到所述目标芯片设计的预测老化对应的第一时序信息；

对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能。

在可选的实施方式中，所述基于老化模型和目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库，包括：

获取所述目标芯片设计的老化参数；

根据所述老化参数、所述老化模型和所述目标芯片设计的标准单元库，计算得到所述标准单元库对应的老化标准单元库。

在本申请实施例中，通过确定出老化参数，从而可以方便获知当前的芯片分析需求，从而可以实现更准确地定位分析需求，提高分析效果。

在可选的实施方式中，所述对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：

根据所述第一时序信息中的路径信息，确定所述目标芯片设计的预测老化裕量；

根据所述预测老化裕量确定出所述目标芯片设计的老化性能是否满足需求，其中，当所述预测老化裕量为正表征所述目标芯片设计老化满足需求，当所述预测老化裕量表征为负表征所述目标芯片设计不满足老化需求。

在本申请实施例中，通过确定出的裕量可以确定出预测老化情况，以及预测老化状态是否能够满足目标芯片设计对应的老化需求。

在可选的实施方式中，所述对所述第一时序信息进行分析，得到所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：

根据所述标准单元库计算出所述目标芯片设计的第二时序信息；

将所述第一时序信息与所述第二时序信息进行对比，以确定出所述目标芯片设计的预测老化性能。

在本申请实施例中，通过将第一时序信息与第二时序信息进行对比，从而可以实现对预测老化性能的确定，以及相对于当前的目标芯片设计的性能的对比差距，从而可以为芯片设计提供数据基础。

在可选的实施方式中，所述将所述第一时序信息与所述第二时序信息进行对比，以确定出所述目标芯片设计的预测老化性能，包括：