[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有漏区和源区；

栅极，形成在所述衬底上，且所述源区和所述漏区分居所述栅极的两侧；

层间介质层，形成在所述衬底上并覆盖所述栅极，所述层间介质层中形成有源极接触孔和多个沟槽，所述源极接触孔暴露出所述源区的部分表面，各个所述沟槽均位于所述栅极与所述漏区之间，且至少部分所述沟槽沿从所述栅极指向所述漏区的方向依次排列，和/或，至少部分所述沟槽沿平行于所述栅极的方向依次排列；

源极导电插塞，填充在所述源极接触孔中，底部电性接触所述源区；

源极场板，形成在所述栅极的上方，并从所述源极导电插塞的顶部指向所述漏区方向连续延伸并覆盖各个所述沟槽的内表面。

2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述源极场板为一体成型结构。

3.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述源极场板对各个所述沟槽部分填充。

4.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，各个所述沟槽的底部高于所述栅极的顶部。

5.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述衬底上还形成有局部场氧结构，所述局部场氧结构一侧的衬底中形成有阱区，所述源区形成在所述阱区中，所述局部场氧结构下方及另一侧的衬底中还形成有漂移区，所述漏区形成在所述局部场氧结构另一侧的漂移区中，所述栅极从部分所述阱区的表面上延伸到部分所述局部场氧结构的表面上，所述栅极和所述阱区之间设有栅氧层。

6.如权利要求5所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述层间介质层中还形成有漏极接触孔，所述LDMOS晶体管还包括漏极导电插塞和漏极场板，所述漏极导电插塞填充在所述漏极接触孔中，底部电性接触所述漏区，所述漏极场板从所述漏极导电插塞的顶部延伸到部分局部场氧结构的上方，并与所述源极场板相互间隔。

7.如权利要求6所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述源极导电插塞、所述源极场板、所述漏极导电插塞和所述漏极场板采用同一层金属形成。

8.一种如权利要求1至7中任一项所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底中形成有漏区和源区；

在所述衬底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述栅极；

在所述第一层间介质层中形成源极接触孔和多个沟槽，所述源极接触孔暴露出所述源区的部分表面，各个所述沟槽均位于所述栅极与所述漏区之间；

形成源极导电插塞和源极场板，所述源极导电插塞填充在所述源极接触孔中，底部电性接触所述源区，所述源极场板形成在第一层间介质层的表面上并位于所述栅极的上方，且从所述源极导电插塞的顶部指向所述漏区方向连续延伸并覆盖各个所述沟槽的内表面。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，提供形成有栅极、源区和漏区的衬底的步骤包括：

提供一衬底，并在所述衬底中形成阱区和漂移区；

在部分所述漂移区上形成局部场氧结构；

在所述衬底上形成栅氧层和栅极，所述栅氧层覆盖部分阱区，所述栅极从所述栅氧层的表面上延伸到部分所述局部场氧结构的表面上；

形成源区和漏区，所述源区形成在所述阱区中，所述漏区形成在所述局部场氧结构一侧的漂移区中。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述第一层间介质层中形成所述源极接触孔和多个所述沟槽时，先形成各个所述沟槽，后同时形成源极接触孔和漏极接触孔；或者，先同时形成源极接触孔和漏极接触孔，后形成各个所述沟槽。