[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

说明书

本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制造方法，本发明的LDMOS晶体管采用了连续沟槽型的源极场板，可以在不增加所感应的电荷量的情况下增加源极场板的长度，由此可以增加器件的电场分布长度，并改善电场分布，由此使得栅极和漏极之间的栅漏电容得以降低，器件的击穿电压得以提高。本发明的LDMOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制作技术领域，特别涉及一种LDMOS晶体管及其制造方法。

背景技术

LDMOS（Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向双扩散金氧半导体）晶体管主要用于射频功率放大器、功率开关、DC/DC变换器、高压I/O电路和其它内部高压电路。

图1示出了本领域中已知的一种 LDMOS晶体管，其衬底100中形成有漂移区101和阱区102，漂移区101中形成有源区106s、体区106p，漂移区102中形成有漏区106d，衬底100表面上形成有局部场氧结构103、栅氧层104、栅极105和层间介质层107，栅极105覆盖在栅氧层104以及部分局部场氧结构103上，层间介质层107覆盖栅极105、局部场氧结构103以及被暴露出的衬底100的表面，层间介质层中形成有源极导电插塞108s、漏极导电插塞108d以及体区导电插塞108p。

现有技术中，为了获得更高的击穿电压，如图2所示，本领域在图1所示的LDMOS晶体管的结构基础上，增加一个与源极导电插塞108s连接的源极场板109s，源极场板109s会越过栅极上方并延伸到部分漂移区101上方，能起到提高漂移区101表面峰值电场的作用，使击穿电压增加。

然而，上述两种LDMOS晶体管，难以满足具有更高击穿特性的高速射频应用需求。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种LDMOS晶体管，能够进一步降低LDMOS晶体管的栅漏电容，并提高击穿电压。

本发明的另一目的在于提供一种LDMOS晶体管的制造方法，能够通过相对简单的工艺获得更高性能的LDMOS晶体管。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LDMOS晶体管，包括：

衬底，所述衬底中形成有漏区和源区；

栅极，形成在所述衬底上，且所述源区和所述漏区分居所述栅极的两侧；

层间介质层，形成在所述衬底上并覆盖所述栅极，所述层间介质层中形成有源极接触孔和多个沟槽，所述源极接触孔暴露出所述源区的部分表面，各个所述沟槽均位于所述栅极与所述漏区之间；

源极导电插塞，填充在所述源极接触孔中，底部电性接触所述源区；

源极场板，形成在所述栅极的上方，并从所述源极导电插塞的顶部指向所述漏区方向连续延伸并覆盖各个所述沟槽的内表面。

可选地，至少部分所述沟槽沿从所述栅极指向所述漏区的方向依次排列。

可选地，至少部分所述沟槽沿平行于所述栅极的方向依次排列。

可选地，所述源极场板为一体成型结构。

可选地，所述源极场板对各个所述沟槽部分填充。

可选地，各个所述沟槽的底部高于所述栅极的顶部。

可选地，所述衬底上还形成有局部场氧结构，所述局部场氧结构一侧的衬底中形成有阱区，所述源区形成在所述阱区中，所述局部场氧结构下方及另一侧的衬底中还形成有漂移区，所述漏区形成在所述局部场氧结构另一侧的漂移区中，所述栅极从部分所述阱区的表面上延伸到部分所述局部场氧结构的表面上，所述栅极和所述阱区之间设有栅氧层。