[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011055081.7 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112435995A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，包括：
基板，具有腔体；
堆叠组件，包括至少一个组件，各组件依次堆叠于所述腔体内；
封装材，填充于所述腔体内，包覆所述堆叠组件；
所述基板设置有焊垫，所述焊垫通过导线电连接所述堆叠组件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述各组件以交错堆叠方式依次堆叠于所述腔体内。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构，其中，所述腔体为阶梯状腔体。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述基板包括核心基板、至少一个介电层和至少一个金属层，所述至少一个介电层依次堆叠于所述核心基板上，并形成所述阶梯状腔体。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个介电层中各介电层与所述堆叠组件中各组件对应设置于同一垂直高度，同一垂直高度的介电层与组件之间的单边水平距离大于等于35微米。
6.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述阶梯状腔体中每相邻两个台阶的宽度差为2-3微米。
7.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述阶梯状腔体的每个台阶为斜面圆弧。
8.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述阶梯状腔体的每个台阶为直角。
9.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括：
重布线层，电连接所述基板，设置于所述基板上。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中，所述半导体封装结构还包括：
导电层，电连接所述重布线层，设置于所述堆叠组件中的最上层组件。
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