[发明专利]具有混合引线键合焊盘的半导体芯片有效
申请号: | 202011056865.1 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112185921B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 英韧科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 吴珊;成春荣 |
地址: | 201210 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 混合 引线 键合焊盘 半导体 芯片 | ||
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:
沿与半导体芯片的边缘平行的第一方向延伸的外键合焊盘,所述外键合焊盘具有在所述第一方向上对准的一个探测区域和两个引线键合区域;和
沿与所述半导体芯片的边缘垂直的第二方向延伸的内键合焊盘,所述内键合焊盘具有在第二方向上对准的一个探测区域和一个引线键合区域,其中,所述外键合焊盘摆放的位置比所述内键合焊盘更靠近所述半导体芯片的边缘,其中,所述外键合焊盘的探测区域小于所述外键合焊盘的两个引线键合区域中的任一个。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述外键合焊盘的探测区域位于所述外键合焊盘的两个引线键合区域之间。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述内键合焊盘的探测区域小于所述内键合焊盘的引线键合区域。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述外键合焊盘被配置为提供到所述半导体芯片中的电路的接地或电源连接。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述外键合焊盘是在所述第一方向上对准的一行外键合焊盘中的一个,所述内键合焊盘是在所述第一方向上对准的一行内键合焊盘中的一个。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片,其特征在于,所述一行外键合焊盘中的每一个具有第一相同的细长形状,其具有在所述第一方向上对准的一个探测区域和两个引线键合区域,并且所述一行内键合焊盘中的每一个具有第二相同的细长形状,其具有在所述第二方向上对准的一个探测区域和一个引线键合区域。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,所述一行外键合焊盘中的每一个被配置为提供接地或电源连接。
8.一种半导体芯片,其特征在于,包括:
在与半导体芯片的边缘平行的行方向上排列的一行外键合焊盘;和
在沿着所述一行外键合焊盘的所述行方向上排列的一行内键合焊盘,并且所述一行内键合焊盘在所述一行外键合焊盘的与所述半导体芯片的边缘相对的一侧上,其中,所述一行外键合焊盘中的每一个在所述行方向上是细长的,并具有两个引线键合区域和一个探测区域,并且其中,所述一行内键合焊盘中的每一个在垂直于行方向上是细长的,并且具有一个引线键合区域和一个探测区域,其中,所述一行外键合焊盘的外键合焊盘的探测区域小于所述外键合焊盘的两个引线键合区域中的任一个。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片,其特征在于,所述外键合焊盘的探测区域和所述外键合焊盘的两个引线键合区域在所述行方向上对准,其中所述探测区域位于所述两个引线键合区域之间。
10.根据权利要求8所述的半导体芯片,其特征在于,所述内键合焊盘的探测区域小于所述内键合焊盘的引线键合区域。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片,其特征在于,所述内键合焊盘的探测区域和所述内键合焊盘的引线键合区域沿着垂直于所述行方向对准。
12.根据权利要求8所述的半导体芯片,其特征在于,所述一行外键合焊盘中的每一个被配置为提供接地或电源连接。
13.一种制造半导体芯片的方法,其特征在于,包括:
形成沿与半导体芯片的边缘平行的第一方向延伸的外键合焊盘,所述外键合焊盘具有在所述第一方向上对准的一个探测区域和两个引线键合区域;和
形成沿与所述半导体芯片的边缘垂直的第二方向延伸的内键合焊盘,所述内键合焊盘具有在第二方向上对准的一个探测区域和一个引线键合区域,其中,所述外键合焊盘摆放的位置比所述内键合焊盘更靠近所述半导体芯片的边缘,其中,所述外键合焊盘的探测区域小于所述外键合焊盘的两个引线键合区域中的任一个。
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