[发明专利]一种临时粘合剂及其应用和应用方法

说明书

本发明公开了一种临时粘合剂，所述临时粘合剂至少包括以下组分：极性树脂5～50wt％、主溶剂30～90wt％、助溶剂0～60wt％；所述极性树脂选自苯氧基树脂、聚醚醚酮树脂、聚碳酸酯树脂中的至少一种。本发明的第二方面提供了一种如上所述的临时粘合剂在半导体封装领域的应用。本发明的第三方面提供了一种如上所述的临时粘合剂的应用方法，包括以下步骤：使用所述临时粘合剂将待处理基材与载体基材粘合，对待处理基材进行工艺处理，处理完毕后解开粘合。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种临时粘合剂及其应用和应用方法。

背景技术

随着现有半导体产业发展，薄片加工有了更高的需求，薄片加工制程中需要将厚硅片打磨至较薄厚度，再在其上进行精细结构制作，但是薄硅片会存在易破裂、难固定加工的问题。为此，现有一种方法是使用粘合剂将硅片与较厚的、表面平整的基材(例如毫米级厚度的玻璃片)暂时粘合在一起组成一个易于加工的“组合件”，在打磨、抛光、涂光刻胶、显影等制程结束后，再将粘合剂的粘合状态解开。解开方法有机械力拆解(简单高效成本低但是容易造成硅片破坏)、加热拆解(条件不温和)、化学溶剂拆解(简单方便成本低但是效率低)、激光拆解(高效快速但成本高)的方法。粘合剂在制程中需要保持粘合状态，不能受环境影响，同时要求粘合剂从粘合状态容易被拆解。然而，现有的粘合剂在应用中存在缺点如下：

缺点1：某些粘合剂具有不耐受高温或者不耐受溶剂问题。一些制程如PVD(物理气相沉积)、锡球回焊，需要在较高温度下进行，温度会高于100℃，甚至有10min时间会达260℃的高温。除此之外，制程中粘合状态下的组合件还要经过诸如显影液、去胶液、蚀刻液等溶剂的腐蚀，如果耐受能力不足，则会使得粘合好的硅片与基材解开粘合，会导致硅片破坏。

缺点2：现有技术中已经公开的粘合剂对于光的阻碍有限，在一些使用激光解粘合的工艺中，激光能量透过率较高，而胶层不具备吸光能力或解键时能量过高将会在基材上留下激光照射的光斑，导致芯片表面材质有激光划痕，引起接触不良等问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题：1.粘合剂耐热性不足的问题，达200℃组分会分解使得胶层破坏，不具备粘合能力；2.粘合剂耐化学性不足的问题，芳香类溶剂、烃类等弱极性溶剂、去胶溶液例如NMP等浸泡会溶解胶层使其失去粘合能力；3.粘合剂激光能量透过率过高的问题。

本发明的第一方面提供了一种临时粘合剂，所述临时粘合剂至少包括以下组分：极性树脂5～50wt％、主溶剂30～90wt％、助溶剂0～60wt％；所述极性树脂选自苯氧基树脂、聚醚醚酮树脂、聚碳酸酯树脂中的至少一种。

作为一种优选的技术方案，所述极性树脂的数均分子量为10000～100000，分子量分布为1～3.5。

作为一种优选的技术方案，所述主溶剂选自酯类溶剂、酮类溶剂、砜类溶剂、酰胺类溶剂中的至少一种。

作为一种优选的技术方案，所述主溶剂选自3-乙氧丙酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯、甲乙酮、甲基异丁基酮、异佛尔酮、丙二醇甲醚醋酸酯、二甲基亚砜中的至少一种。

作为一种优选的技术方案，所述助溶剂选自酯类溶剂、酮类溶剂、砜类溶剂、酰胺类溶剂中的至少一种。

作为一种优选的技术方案，所述助溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、环己酮、环戊酮中的至少一种。

作为一种优选的技术方案，所述临时粘合剂还包括阻光材料；所述阻光材料在临时粘合剂中的占比为0.1～20wt％。

作为一种优选的技术方案，所述阻光材料为无机物和/或有机物；所述无机物选自金属粉粒、金属氧化物粉粒、炭粉中的至少一种；所述有机物为对波长290～350nm的紫外光具有吸收作用的有机物。

本发明的第二方面提供了一种如上所述的临时粘合剂在半导体封装领域的应用。