[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一单元结构，包括第一沟道层；

第二单元结构，包括第二沟道层；

焊盘结构，位于所述第一单元结构和所述第二单元结构之间并且包括第一阶梯结构和第二阶梯结构，所述第一阶梯结构包括电连接至所述第一单元结构和所述第二单元结构并且堆叠在彼此顶部上的第一焊盘；

电路，与所述第一单元结构、所述第二单元结构和所述焊盘结构竖向布置；以及

互连件，将所述第一焊盘电连接至所述电路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括开口，所述开口穿过所述焊盘结构以暴露所述电路。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述互连件通过所述开口与所述电路电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘结构包括虚拟结构，所述虚拟结构包括堆叠在彼此顶部上的引线，所述引线与所述第一单元结构和所述第二单元结构电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘结构包括虚拟结构，所述虚拟结构包括堆叠在彼此顶部上的引线，所述引线将所述第一焊盘中的每个共同电连接至所述第一单元结构和所述第二单元结构。

6.一种半导体装置，包括：

第一单元结构，包括堆叠在彼此顶部上的第一存储单元；

第二单元结构，包括堆叠在彼此顶部上的第二存储单元；以及

焊盘结构，位于所述第一单元结构和所述第二单元结构之间，

其中，所述焊盘结构包括：

阶梯结构，包括堆叠在彼此顶部上的焊盘；以及

虚拟结构，包括堆叠在彼此顶部上的引线，所述引线将所述焊盘中的每个共同电连接至所述第一单元结构和所述第二单元结构。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，进一步包括电路，所述电路与所述焊盘结构、所述第一单元结构和所述第二单元结构竖向布置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，进一步包括互连件，所述互连件将所述焊盘电连接至所述电路。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，进一步包括开口，所述开口穿过所述焊盘结构以暴露所述电路，所述互连件通过所述开口与所述电路电连接。

10.一种半导体装置，包括：

第一单元结构，包括第一至第4n层；

焊盘结构，电连接至所述第一单元结构；以及

电路，位于所述焊盘结构下方，

其中，所述焊盘结构包括：

第一阶梯结构，包括堆叠在彼此顶部上的第一焊盘；

第二阶梯结构，包括堆叠在彼此顶部上的第二焊盘；

开口，穿过所述焊盘结构以暴露所述电路；

第一虚拟阶梯结构，包括堆叠在彼此顶部上的第一引线，所述第一引线将所述第一焊盘电连接至所述第一单元结构的第一至第3n层；以及

第二虚拟阶梯结构，包括堆叠在彼此顶部上的第二引线，所述第二引线将所述第二焊盘电连接至所述第一单元结构的所述第一至第3n层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，进一步包括第二单元结构，所述第二单元结构面向所述第一单元结构，并且所述焊盘结构介于所述第一单元结构和所述第二单元结构之间，所述第二单元结构包括第一至第4n层并且电连接至所述焊盘结构。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，进一步包括互连结构，所述互连结构与所述焊盘电连接，使得所述电路共同电连接至所述第一单元结构和所述第二单元结构。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，进一步包括开口，所述开口穿过所述焊盘结构以暴露所述电路，所述互连结构通过所述开口与所述电路电连接。