[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置，其可以包括：第一单元结构、第二单元结构、焊盘结构、电路及开口。焊盘结构可以包括位于第一单元结构和第二单元结构之间的第一阶梯结构和第二阶梯结构。第一阶梯结构可以包括电连接至第一和第二单元结构并堆叠在彼此顶部上的第一焊盘，并且第二阶梯结构可以包括电连接至第一和第二单元结构并堆叠在彼此顶部上的第二焊盘。电路可以位于焊盘结构下方。开口可以穿过焊盘结构以暴露电路，并且可以位于第一阶梯结构和第二阶梯结构之间以使第一焊盘和第二焊盘彼此绝缘。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年5月2日提交的申请号为10-2016-0054202的韩国专利申请的优先权，其全文通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置及其制造方法，并且更特别地涉及一种三维半导体装置及其制造方法。

背景技术

无论非易失性存储器装置是否连接至电源，它们可以保留存储的数据。因为二维非易失性存储器技术到达其物理比例的极限，一些半导体制造商正通过在衬底上使存储器单元在彼此顶部上堆叠来制造三维(3D)非易失性存储器装置。

三维存储器装置可以包括与层间绝缘层交替堆叠的栅电极，并且还可以包括穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层。为了改善三维非易失性存储器装置的可靠性，正在研发各种结构和制造方法。

发明内容

根据实施例，一种半导体装置可以包括：第一单元结构、第二单元结构、焊盘结构、电路及开口。焊盘结构可以包括位于第一单元结构和第二单元结构之间的第一阶梯结构和第二阶梯结构。第一阶梯结构可以包括电连接至第一和第二单元结构并堆叠在彼此顶部上的第一焊盘，并且第二阶梯结构可以包括电连接至第一和第二单元结构并堆叠在彼此顶部上的第二焊盘。电路可以位于焊盘结构下方。开口可以穿过焊盘结构以暴露电路，并且可以位于第一阶梯结构和第二阶梯结构之间以使第一焊盘和第二焊盘彼此绝缘。

根据实施例，一种半导体装置可以包括：第一单元结构、焊盘结构、电路、第一虚拟阶梯结构及第二虚拟阶梯结构。第一单元结构可以包括第一至第4n层。焊盘结构可以电连接至第一单元结构。电路可以位于焊盘结构下方。焊盘结构可以包括包含堆叠在彼此顶部上的第一焊盘的第一阶梯结构、包含堆叠在彼此顶部上的第二焊盘的第二阶梯结构、穿过焊盘结构以暴露电路并且位于第一阶梯结构和第二阶梯结构之间以使第一焊盘和第二焊盘彼此绝缘的开口。第一虚拟阶梯结构可以位于第一阶梯结构和开口之间，并且可以包括堆叠在彼此顶部上的第一引线。第一引线可以将第一焊盘电连接至第一单元结构的第一至第3n层。第二虚拟阶梯结构可以位于第二阶梯结构和开口之间并且包括堆叠在彼此顶部上的第二引线。第二引线可以将第二焊盘电连接至第一单元结构的第一至第3n层。

根据实施例，一种半导体装置的制造方法可以包括：在包含在第一方向上顺序布置的第一单元区域、焊盘区域和第二单元区域的衬底的焊盘区域中形成电路。该方法可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括在其中形成电路的衬底上堆叠的第一至第4n层(其中n是2或更大的自然数)。该方法可包括在第一单元区域中形成第一单元结构，在第二单元区域中形成第二单元结构，以及在焊盘区域中通过部分地图案化堆叠结构的焊盘区域形成焊盘结构。焊盘结构可以包括：包含堆叠在彼此顶部上的第一焊盘的第一阶梯结构，第一焊盘电连接至第一和第二单元结构：以及包含堆叠在彼此顶部上的第二焊盘的第二阶梯结构，第二焊盘电连接至第一和第二单元结构。该方法可以包括形成通过堆叠结构以暴露电路的开口。开口可以位于第一阶梯结构和第二阶梯结构之间以使第一焊盘和第二焊盘彼此绝缘。

附图说明

图1A至图1D是示出根据实施例的半导体装置的示例性结构的图。

图2A至图2E是示出根据实施例的半导体装置的示例性结构的图。

图3A至图6A以及图3B至图6B是示出根据实施例的制造半导体装置的方法的示例的图。