[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011058876.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN113345482A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 金镇浩;成象铉;吴星来 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11C5/06;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
第一基板层,所述第一基板层包括逻辑电路;以及
多个第二基板层,所述多个第二基板层层叠在所述第一基板层上,所述多个第二基板层包括存储器单元阵列,
其中,所述多个第二基板层中的每一个包括:
传送电路,所述传送电路联接到所述存储器单元阵列的行线,所述传送电路设置在所述第二基板层上并且选择性地联接到全局行线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述逻辑电路包括:
行选择控制器,所述行选择控制器被配置为响应于行控制信号而生成行选择信号;
全局解码器,所述全局解码器被配置为通过所述全局行线提供操作电压;以及
外围电路,所述外围电路被配置为生成所述行控制信号。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述逻辑电路还包括:
页缓冲器电路,所述页缓冲器电路联接到所述存储器单元阵列的位线,并且被配置为控制所述存储器单元阵列的操作。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述多个第二基板层共享所述全局行线。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述多个第二基板层共享所述行选择信号。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述传送电路包括:
多个传输晶体管组,所述多个传输晶体管组各自具有多个传输晶体管,并且分别分布到所述多个第二基板层,所述多个传输晶体管组中的每一个联接在所述全局行线和所述行线之间,以通过所述多个传输晶体管的栅极端子接收所述行选择信号。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,一个传输晶体管组的所述多个传输晶体管中的每一个对应于相应的第二基板层的行线中的多条子行线中的一条。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述存储器单元阵列包括:
多个子单元阵列,所述多个子单元阵列中的每一个一对一地对应于所述多个第二基板层中的一个。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,所述多个子单元阵列被设置为一对一地对应于所述多个传输晶体管组。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中:
被包含在所述多个传输晶体管组中的每一个中的所述多个传输晶体管的数量与相应的行线中的子行线的数量相同。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,所述多个传输晶体管组中的每一个在所述第一基板层和所述第二基板层进行层叠的方向上设置在所述多个子单元阵列中的相应的一个子单元阵列的下方。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,所述多个传输晶体管组沿所述多个子单元阵列的减薄区域的方向设置。
13.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述多个第二基板层中的至少两个第二基板层在所述至少两个第二基板层之间的接合表面处通过多个焊盘彼此结合,并且互为镜像。
14.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述存储器单元阵列包括多个子单元阵列,
其中,所述多个子单元阵列中的每一个包括相应的子单元串。
15.根据权利要求14所述的半导体装置,其中,多个子单元串通过穿过所述多个第二基板层的硅通孔和垂直沟道而彼此电联接,并且所述多个子单元串构成形成在公共源极线和位线之间的一个单元串结构。
16.根据权利要求15所述的半导体装置,其中:
以对应于一个子单元串的块为单位控制擦除操作。
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