[发明专利]装置结构和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011060535.X 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112599490A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 黄文宏 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/50;H01L23/522;H01L49/02;H01L49/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 装置 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种装置结构,其包括:

堆叠结构,其包括:

第一金属氧化物层;

第二金属氧化物层,其与所述第一金属氧化物层相对;以及

金属层,其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间;

介电材料,其贯穿所述第一金属氧化物层;以及

电极导孔,其贯穿所述介电材料,并且电连接到所述金属层。

2.根据权利要求1所述的装置结构,其中所述介电材料覆盖所述金属层的一部分。

3.根据权利要求1所述的装置结构,其中所述介电材料向下逐渐变小。

4.根据权利要求1所述的装置结构,其中所述堆叠结构进一步包括设置为邻近所述第一金属氧化物层的第一电极结构和覆盖所述第一电极结构的第一介电结构,并且界定中心穿孔,所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层,以显露所述金属层的一部分,所述介电材料设置在所述中心穿孔中,并且界定中心开口,所述中心开口贯穿所述介电材料,并且所述电极导孔设置在所述中心开口中。

5.根据权利要求4所述的装置结构,其中所述第一电极结构包括设置在所述第一金属氧化物层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的电极层,所述电极层界定开口,所述开口贯穿所述电极层且对应于所述中心穿孔,并且所述第一介电结构包括第一介电层,所述第一介电层覆盖所述电极层和所述开口。

6.根据权利要求4所述的装置结构,其中所述第一介电结构包括第一介电层、设置在所述第一介电层上的至少一个第二介电层以及嵌入在所述第二介电层中的多条纤维,并且所述纤维的一部分延伸到所述中心穿孔中。

7.根据权利要求6所述的装置结构,其中所述介电材料覆盖所述纤维延伸到所述中心穿孔中的所述部分。

8.根据权利要求4所述的装置结构,其中所述堆叠结构进一步界定多个外部穿孔和多个第一内部穿孔,所述外部穿孔贯穿所述堆叠结构,所述第一内部穿孔位于所述中心穿孔与所述外部穿孔之间并贯穿所述第一介电结构,以显露所述第一电极结构的一部分。

9.根据权利要求4所述的装置结构,其中所述装置结构是电容器。

10.一种装置结构,其包括:

堆叠结构,其包括:

第一金属氧化物层;

第二金属氧化物层,其与所述第一金属氧化物层相对;以及

金属层,其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间;

介电材料,其贯穿所述第一金属氧化物层;

电极导孔,其贯穿所述介电材料,并且电连接到所述金属层;以及

第一重布结构,其设置在所述堆叠结构上,并且电连接到所述堆叠结构。

11.根据权利要求10所述的装置结构,其中所述第一重布结构包括设置在所述第一介电结构上的至少一个介电层和与所述介电层接触的重布层。

12.根据权利要求10所述的装置结构,其中所述堆叠结构进一步包括设置为邻近所述第一金属氧化物层的第一电极结构、覆盖所述第一电极结构的第一介电结构、设置为邻近所述第二金属氧化物层的第二电极结构以及覆盖所述第二电极结构的第二介电结构,并且界定中心穿孔,所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层,以显露所述金属层的一部分,所述介电材料设置在所述中心穿孔中,并且界定中心开口,所述中心开口贯穿所述介电材料,所述电极导孔设置在所述中心开口中,所述装置结构进一步包括设置在所述第二介电结构上的第二重布结构,并且所述第二重布结构包括设置在所述第二介电结构上的至少一个介电层和与所述介电层接触的重布层。

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