[发明专利]装置结构和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011060535.X 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112599490A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 黄文宏 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/50;H01L23/522;H01L49/02;H01L49/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 装置 结构 制造 方法
【说明书】:

本公开涉及一种装置结构和用于制造装置结构的方法。所述装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料,并且电连接到所述金属层。

技术领域

本公开涉及一种装置结构和制造方法,并且涉及一种包括电极导孔的装置结构和用于制造所述装置结构的方法。

背景技术

可嵌入无源组件(embeddable passive component)的制造通常基于多层材料(multi-layer material)。例如,可以使用多层材料来形成嵌入式电容器(embeddedcapacitor)。为了形成嵌入式电容器的阳极和阴极,需要许多穿孔(through holes)以形成导电导孔(conductive vias)。通常使用激光钻孔(laser drilling)来形成穿孔,因为激光能量可以穿透多层材料的金属氧化物层(metal oxide layer)和介电层(dielectriclayer)。在激光钻孔期间,激光能量在穿透金属氧化物层之后,会形成穿孔的下部开口,并且同时在介电层上形成穿孔的上部开口。然而,对于介电层来说,激光能量太高,因此,当下部开口的尺寸达到期望尺寸时,上部开口的尺寸将由于较高的激光能量对介电层的上部部分过度蚀刻而大于期望尺寸。

发明内容

在一些实施例中,一种装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料,并且电连接到所述金属层。

在一些实施例中,一种装置结构包括堆叠结构、介电材料、电极导孔和第一重布结构。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料,并且电连接到所述金属层。所述第一重布结构设置在所述堆叠结构上,并且电连接到所述堆叠结构。

在一些实施例中,一种用于制造装置结构的方法包括:(a)提供堆叠结构,所述堆叠结构包括:第一金属氧化物层;第二金属氧化物层,其与所述第一金属氧化物层相对;金属层,其插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间;第一电极结构,其设置为邻近所述第一金属氧化物层;以及第一介电结构,其覆盖所述第一电极结构;(b)形成至少一个中心穿孔,所述中心穿孔贯穿所述第一介电结构、所述第一电极结构和所述第一金属氧化物层,以显露所述金属层的一部分;(c)形成介电材料于所述中心穿孔中和所述金属层的显露部分上;(d)形成中心开口,所述中心开口贯穿所述介电材料,以显露所述金属层的所述显露部分的一部分;以及(e)形成电极导孔于所述中心开口中和所述金属层的所述显露部分上。

附图说明

当结合附图阅读时,可从以下具体实施方式容易地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

图2显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

图3显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

图4显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

图5显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

图6显示本公开的一些实施例的装置结构的剖视图。

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