[发明专利]存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

下部源极/漏极区域和位于所述下部源极/漏极区域上面的上部源极/漏极区域；

半导体沟道，位于所述下部源极/漏极区域上面并且位于所述上部源极/漏极区域下面；

控制栅电极，沿着所述半导体沟道的侧壁以及所述下部源极/漏极区域和所述上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸；以及

栅极介电层和铁电层，将所述控制栅电极与所述半导体沟道以及所述下部源极/漏极区域和所述上部源极/漏极区域分隔开。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述半导体沟道完全并且横向地位于所述上部源极/漏极区域的相对侧壁之间，并且其中，所述相对侧壁分别面对和面向远离所述控制栅电极。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述控制栅电极完全未由所述上部源极/漏极区域覆盖。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述半导体沟道的侧壁与所述下部源极/漏极区域和所述上部源极/漏极区域的单独的侧壁偏移。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电层沿着所述半导体沟道的侧壁从顶部延伸至底部，并且还沿着所述下部源极/漏极区域和所述上部源极/漏极区域的单独的侧壁从顶部延伸至底部。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

第二半导体沟道和源极/漏极介电层，位于所述下部源极/漏极区域上面并且位于所述上部源极/漏极区域下面，其中，所述源极/漏极介电层位于所述半导体沟道与所述第二半导体沟道之间。

7.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

第二半导体沟道，在所述控制栅电极的与所述半导体沟道相反的侧上与所述控制栅电极邻接，其中，所述铁电层和所述栅极介电层包裹在所述控制栅电极的底部周围，并且将所述控制栅电极与所述第二半导体沟道分隔开。

8.一种存储器器件，包括：

第一半导体沟道；

第二半导体沟道，位于所述第一半导体沟道上面；以及

控制栅电极和铁电层，与所述第一半导体沟道和所述第二半导体沟道邻接，其中，所述铁电层将所述控制栅电极与所述第一半导体沟道和所述第二半导体沟道分隔开。

9.根据权利要求8所述的存储器器件，还包括：

高k栅极介电层，将所述铁电层与所述第一半导体沟道和所述第二半导体沟道分隔开。

10.一种用于形成存储器器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方沉积存储器膜，其中，所述存储器膜包括一对源极/漏极层和位于所述源极/漏极层之间的源极/漏极介电层；

对所述存储器膜执行第一蚀刻以形成穿过所述存储器膜的沟槽；

通过所述沟槽使所述源极/漏极介电层的侧壁相对于所述源极/漏极层的侧壁凹进，以形成凹槽；

沉积半导体层，所述半导体层填充所述凹槽和所述沟槽；

对所述半导体层执行第二蚀刻以从所述沟槽清除所述半导体层；

沉积铁电层，所述铁电层衬里所述沟槽，并且还衬里所述凹槽处的所述半导体层；以及

在所述铁电层上方沉积填充所述沟槽的电极层。