[发明专利]显示设备及制造显示设备的方法在审
申请号: | 202011060988.2 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112635523A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 白承仁;金建植;权美罗;柳永浚;朴玲恩;李政桓;崔守真;韩筵昊;洪宗范 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.显示设备,包括:
第一基础衬底,所述第一基础衬底上限定有发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域;
波长转换图案,在所述发光区域中设置在所述第一基础衬底上;以及
发光元件层,设置在所述波长转换图案上,
其中,所述发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极,所述像素电极包括设置在所述波长转换图案与所述第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在所述第一导电图案上的第二导电图案,且所述波长转换图案插置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间,所述有机发光层设置在所述第二导电图案上,所述公共电极设置在所述有机发光层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一导电图案包括设置在所述波长转换图案与所述第一基础衬底之间的第一导电膜以及设置在所述第一导电膜与所述波长转换图案之间的第二导电膜。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述第一导电膜包括氧化物导电材料,
所述第二导电膜包括金属,以及
所述第二导电图案包括氧化物导电材料。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二导电图案覆盖所述波长转换图案的侧面并且与所述第二导电膜接触。
5.根据权利要求4所述的显示设备,还包括:
像素限定膜,在所述非发光区域中设置在所述第一基础衬底上,
其中,所述像素限定膜与所述第二导电图案的侧面接触。
6.根据权利要求2所述的显示设备,还包括:
无机盖层,覆盖所述波长转换图案的侧面,并且与所述波长转换图案的侧面接触,
其中,所述第二导电图案设置在所述无机盖层的至少顶表面上。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第二导电图案还设置在所述无机盖层的侧面上。
8.根据权利要求2所述的显示设备,还包括:
阻挡壁,设置在所述波长转换图案的侧面上和所述第二导电膜上;以及
第三导电图案,设置在所述阻挡壁的侧面和所述波长转换图案的侧面之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述第三导电图案覆盖所述阻挡壁的所述侧面和顶表面。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述波长转换图案包括波长转换颗粒和散射颗粒,所述波长转换颗粒配置成转换从所述发光元件层发射的光的波长。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述有机发光层包括两个或更多个有机层。
12.根据权利要求1所述的显示设备,还包括:
薄膜封装层,与所述像素电极间隔开,且所述公共电极插置在所述薄膜封装层与所述像素电极之间;以及
滤色器,与所述公共电极间隔开,且所述薄膜封装层插置在所述滤色器与所述公共电极之间。
13.根据权利要求12所述的显示设备,还包括:
第二基础衬底,设置在所述滤色器上;以及
填充构件,设置在所述滤色器和所述薄膜封装层之间。
14.显示设备,包括:
基础衬底,所述基础衬底上限定有发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域;
波长转换图案,在所述发光区域中设置在所述基础衬底上;以及
发光元件层,设置在所述波长转换图案和所述基础衬底之间,
其中,所述发光元件层包括设置在所述波长转换图案和所述基础衬底之间的像素电极、设置在所述波长转换图案和所述像素电极之间的有机发光层以及设置在所述有机发光层和所述波长转换图案之间的公共电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011060988.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的