[发明专利]显示设备及制造显示设备的方法在审
申请号: | 202011060988.2 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112635523A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 白承仁;金建植;权美罗;柳永浚;朴玲恩;李政桓;崔守真;韩筵昊;洪宗范 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
公开了显示设备及制造显示设备的方法,该显示设备包括:第一基础衬底,第一基础衬底上限定有发光区域和围绕发光区域的非发光区域;波长转换图案,在发光区域中设置在第一基础衬底上;以及发光元件层,设置在波长转换图案上,其中,发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极,像素电极包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在第一导电图案上的第二导电图案,且波长转换图案插置在第一导电图案与第二导电图案之间,有机发光层设置在第二导电图案上,公共电极设置在有机发光层上。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月8日提交的第10-2019-0124432号韩国专利申请的优先权和从该韩国专利申请获得的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
随着多媒体的发展,显示设备变得越来越重要。因此,已经开发了诸如液晶显示设备(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示设备等的各种显示设备。
OLED显示设备包括作为自发光元件的OLED。OLED包括彼此面对的两个电极和插置在该两个电极之间的有机发光层。来自该两个电极的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子,并且可以响应于激子从激发态到基态的转变而发光。
因为OLED显示设备不需要单独的光源,所以OLED显示设备由于其诸如低功耗、薄、轻质量、宽视角、高亮度和对比度以及快响应速度的许多优势已经被关注为下一代显示设备。
发明内容
本发明的实施方式提供了显示设备,该显示设备在每个像素中在波长转换图案与有机发光层之间具有减小的物理距离。
本发明的另一实施方式提供了制造显示设备的方法,该显示设备在每个像素中在波长转换图案与有机发光层之间具有减小的物理距离。
本发明构思的另外的特征将在随后的说明书中阐述,并且部分地将从描述中而明显,或者可以通过对发明构思的实践来获知。
根据实施方式,显示设备包括:第一基础衬底,该第一基础衬底上限定有发光区域和围绕发光区域的非发光区域;波长转换图案,在发光区域中设置在第一基础衬底上;以及发光元件层,设置在波长转换图案上,其中,发光元件层包括像素电极、有机发光层和公共电极,像素电极包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电图案以及设置在第一导电图案上的第二导电图案,且波长转换图案插置在第一导电图案和第二导电图案之间,有机发光层设置在第二导电图案上,公共电极设置在有机发光层上。
第一导电图案可以包括设置在波长转换图案与第一基础衬底之间的第一导电膜以及设置在第一导电膜与波长转换图案之间的第二导电膜。
第一导电膜可以包括氧化物导电材料,第二导电膜可以包括金属,并且第二导电图案可以包括氧化物导电材料。
第二导电图案可以覆盖波长转换图案的侧面并且与第二导电膜接触。
显示设备还可以包括在非发光区域中设置在第一基础衬底上的像素限定膜,其中,像素限定膜与第二导电图案的侧面接触。
显示设备还可以包括:无机盖层,覆盖波长转换图案的侧面并且与波长转换图案的侧面接触,其中,第二导电图案设置在无机盖层的至少顶表面上。
第二导电图案还可以设置在无机盖层的侧面上。
显示设备还可以包括:阻挡壁,设置在波长转换图案的侧面上和第二导电膜上;以及第三导电图案,设置在阻挡壁的侧面和波长转换图案的侧面之间。
第三导电图案覆盖阻挡壁的侧面和顶表面。
波长转换图案可以包括波长转换颗粒和散射颗粒,波长转换颗粒配置成转换从发光元件层发射的光的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的