[发明专利]一种氮化硅复合材料的真空浸渍设备及方法

权利要求书

1.一种用于制备氮化硅复合材料的真空浸渍设备，其特征在于，所述真空浸渍设备包括：

浸渍装置(1)，所述浸渍装置(1)包括设置有抽真空口(111)和进液口(112)的第一容器(11)；

真空装置(2)，所述真空装置(2)包括用于对所述第一容器进行抽真空的真空泵(21)和用于一端与所述真空泵(21)连通、另一端与所述抽真空口(111)连通的抽真空管路(22)；

供液装置(3)，所述供液装置(3)包括用于容纳浸渍液体的液体容器(31)，和一端与所述供液装置(3)连通、另一端与所述进液口(112)连通的、用于从所述液体容器(31)向所述浸渍装置(1)供应浸渍液体的浸渍管路(32)。

2.根据权利要求1所述的真空浸渍设备，其特征在于：

所述第一容器(11)包括下端密封且上端开口的下段腔体(113)、用于覆盖在所述下段腔体(113)的上端开口的上盖(114)、布置在所述下端腔体(113)和所述上盖(114)的连接处的用于将所述下端腔体(113)和所述上盖(114)密封在一起的密封圈(115)和用于将所述下段腔体(113)和所述上盖(114)紧固在一起的密封螺钉(116)。

3.根据权利要求1或2所述的真空浸渍设备，其特征在于：

所述浸渍装置(1)还包括布置在所述第一容器(11)中的用于容纳氮化硅坯体(4)的第二容器(12)；和/或

所述抽真空口(111)和进液口(112)布置在所述上盖(114)或者下段腔体(113)上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空浸渍设备，其特征在于：

所述真空装置(2)还包括连接在所述抽真空管路(22)上的防溢装置(23)例如抽滤瓶；

优选的是，所述抽真空管路(22)包括布置在所述真空泵(21)和所述防溢装置(23)之间的第一抽真空管路(221)和连接在所述防溢装置(23)和所述抽真空口(111)之间的第二抽真空管路(222)；

进一步优选的是，所述真空装置还包括布置在所述第一抽真空管路(221)上的真空表(24)。

5.根据权利要求1至4所述的真空浸渍设备，其特征在于：所述浸渍装置(1)的所述下段腔体(113)的材质为不锈钢或铝合金；

所述浸渍装置(1)的所述第二容器(12)的材质为铝箔。

6.一种氮化硅复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法利用权利要求1至5任一项所述的真空浸渍设备来制备所述氮化硅复合材料；优选的是，所述制备方法包括如下步骤：

(1)成型准备：将氮化硅坯体(4)放入所述浸渍装置(1)的所述第一容器(11)；

(2)抽真空处理：利用所述真空装置(2)对浸渍装置(1)进行抽真空操作，然后保压；

(3)浸渍处理：将前驱体放在所述供液装置(3)的所述液体容器(31)内，进行真空浸渍，然后保压；

(4)固化处理：打开所述浸渍装置(1)，对浸渍完成的所述氮化硅坯体(4)进行固化反应；

(5)裂解处理：取出所述氮化硅坯体(4)并进行裂解，得到所述氮化硅复合材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

在步骤(1)中，将所述氮化硅坯体(4)放入所述浸渍装置(1)的所述第一容器(11)中；

优选的是，将所述氮化硅坯体(4)放入所述浸渍装置(1)的所述第二容器(12)内，再将所述第二容器(12)放入所述第一容器(11)中。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：

在步骤(2)中，所述抽真空操作的真空度不大于-0.08MPa；

优选的是，抽真空后的保压时间不小于0.5h。