[发明专利]磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置

权利要求书

1.一种磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件包括：

第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于衬底上；

下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；

第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；

第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；

第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和

位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触每个所述第一结构的所述上电极。

2.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第一绝缘中间层的位于所述第一结构之间的上表面包括凹槽，与所述第一结构的下表面在竖直方向上距离所述衬底相比，所述凹槽的最低点在所述竖直方向上更靠近所述衬底。

3.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储器件，其中，在所述竖直方向上从所述第一结构的所述下表面到所述第二绝缘中间层的上表面的高度大于在所述竖直方向上从所述第一绝缘中间层的所述凹槽的所述最低点到所述第一结构的所述下表面的高度的两倍。

4.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中：

所述第二绝缘中间层包括通过第一沉积工艺形成的氧化物，并且

所述第三绝缘中间层包括通过不同于所述第一沉积工艺的第二沉积工艺形成的氧化物。

5.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第二绝缘中间层包括通过高密度等离子体-化学气相沉积工艺形成的氧化硅。

6.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第三绝缘中间层包括氧化硅、氟化的氧化硅或碳掺杂氧化物。

7.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述第三绝缘中间层在竖直方向上的高度大于所述第二绝缘中间层的位于所述第一结构的顶表面与所述第三绝缘中间层之间的部分在所述竖直方向上的高度。

8.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件还包括覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述第一结构的表面。

9.根据权利要求8所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述覆盖层包括氮化硅或氮氧化硅。

10.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中，所述位线包括金属。

11.一种磁阻随机存取存储器件，所述磁阻随机存取存储器件包括：

下绝缘中间层和下布线，所述下绝缘中间层和所述下布线位于衬底上；

第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于所述下绝缘中间层和所述下布线上；

下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；

第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；

覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述第一结构的表面；

第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述覆盖层上，所述第二绝缘中间层包括氧化物并填充所述第一结构之间的空间；

第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层包括介电常数比所述第二绝缘中间层的介电常数低的氧化物；和

位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层、所述第二绝缘中间层和所述覆盖层，所述位线接触每个所述第一结构的所述上电极；

其中，所述第一绝缘中间层的位于所述第一结构之间的上表面包括凹槽，与所述第一结构的下表面在竖直方向上距离所述衬底相比，所述凹槽的最低点在所述竖直方向上更靠近所述衬底。