[发明专利]磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置

说明书

提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。

相关申请的交叉引用

于2019年11月20日在韩国知识产权局提交的、标题为：“MagnetoresistiveRandom Access Memory Device and Embedded Device(磁阻随机存取存储装置和嵌入式装置)”的韩国专利申请No.10-2019-0149919通过引用整体并入本文。

技术领域

实施例涉及磁阻随机存取存储(MRAM)器件和嵌入式装置。

背景技术

MRAM器件可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括MTJ结构、上电极以及电连接到上电极的位线。

发明内容

可以通过提供一种磁阻随机存取存储器件来实现实施例，所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于衬底上；下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触一个所述第一结构的所述上电极。

可以通过提供一种磁阻随机存取存储器件来实现实施例，所述磁阻随机存取存储器件包括：下绝缘中间层和下布线，所述下绝缘中间层和所述下布线位于衬底上；第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层位于所述下绝缘中间层和所述下布线上；下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，所述第一结构分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述第一结构的表面；第二绝缘中间层，所述第二绝缘中间层位于所述覆盖层上，所述第二绝缘中间层包括氧化物并填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，所述第三绝缘中间层直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层包括介电常数比所述第二绝缘中间层的介电常数低的氧化物；和位线，所述位线穿过所述第三绝缘中间层、所述第二绝缘中间层和所述覆盖层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极；其中，所述第一绝缘中间层的位于所述第一结构之间的上表面包括凹槽，与所述第一结构的下表面在竖直方向上距离所述衬底相比，所述凹槽的最低点在所述竖直方向上更靠近所述衬底。