[发明专利]芯片测试方法及装置

权利要求书

1.一种半导体芯片测试方法，其特征在于，包括：

对待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据；

分别对所述每个存储单元执行N次读取操作，得到第一结果，所述N为大于或者等于3的正整数；

根据所述第一结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片。

2.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在所述对待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据之前，包括：

对待测半导体芯片中的每个存储单元写第二数据，得到第二结果；

对应地，所述对待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据，包括：

若所述第二结果指示已对所述每个存储单元写入所述第二数据，则对所述待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据。

3.如权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于，在所述对待测半导体芯片中的每个存储单元写第二数据，得到第二结果之后，包括：

若所述第二结果指示没有在所述每个存储单元写入第二数据，则确定所述待测半导体芯片为存在故障的芯片。

4.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在所述分别对所述每个存储单元执行N次读取操作之前，包括：

分别对所述每个存储单元执行一次读取操作，得到第三结果；

对应地，所述分别对所述每个存储单元执行N次读取操作，包括：

若所述第三结果指示每次读取操作读取到的数据都为第一数据，则分别对所述每个存储单元执行N次读取操作。

5.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述根据所述第一结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片，包括：

若所述第一结果指示每次读取操作读取到的数据都为第一数据，则对所述每个存储单元写第二数据，得到第四结果；

若所述第四结果指示已对所述每个存储单元写入所述第二数据，则分别对所述每个存储单元写Q次第一数据，所述Q为大于或者等于3的正整数；

对所述每个存储单元执行读取操作，得到第五结果；

根据所述第五结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片。

6.如权利要求5所述的芯片测试方法，其特征在于，每个存储单元分别对应一个存储单元地址，其中，最小的存储单元地址为首地址，对应地，所述分别对所述每个存储单元写Q次第一数据，包括：

对所述首地址对应的存储单元写Q次第一数据；

分别对每个非所述首地址对应的存储单元执行以下步骤a：

步骤a：对所述非所述首地址对应的存储单元执行读取操作，得到第六结果，再对所述非所述首地址对应的存储单元写Q次第一数据；

对应地，所述根据所述第五结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片，包括：

根据所述第五结果和所述第六结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片。

7.如权利要求5所述的芯片测试方法，其特征在于，采用第一顺序执行在所述根据第五结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片之前的、所有对所述每个存储单元的写数据的步骤和读取操作的步骤，所述第一顺序用于指示：对所述每个存储单元的写数据的步骤和读取操作的步骤均按照存储单元地址从小到大的顺序执行，第一顺序的逆顺序为第二顺序，所述第二顺序用于指示：对所述每个存储单元的写数据的步骤和读取操作的步骤均按照存储单元地址从大到小的顺序执行，对应地，所述根据第五结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片，包括：

若所述第五结果指示每次读取操作读取到的数据都为第一数据，则根据第二顺序对所述待测半导体芯片中的每个存储单元写第二数据，得到第六结果；

若所述第六结果指示已对所述每个存储单元写入所述第二数据，则根据所述第二顺序对所述待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据；

根据所述第二顺序分别对所述每个存储单元执行N次读取操作，得到第七结果；

根据所述第七结果确定所述待测半导体芯片是否为存在故障的芯片。