[发明专利]一种抗dv/dt的SGT器件在审
| 申请号： | 202011065162.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111987074A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郭乔;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dv dt sgt 器件 | ||
1.一种抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第一导电类型的外延层，位于第一导电类型的衬底的上表面；
沟槽，位于第一导电类型的外延层内，且沿第一导电类型的外延层的厚度方向延伸；
所述沟槽内设有多晶硅栅极和屏蔽栅极；
第一介质层，位于屏蔽栅极的底面及侧面、多晶硅栅极的侧面，以及用于隔离多晶硅栅极与屏蔽栅极；
第一导电类型的轻掺杂体区，位于沟槽的底部，且位于屏蔽栅极的下方；
第一导电类型的重掺杂体区，位于屏蔽栅极外围的第一介质层与沟槽的下部侧壁之间，以及位于屏蔽栅极外围的第一介质层与第一导电类型的轻掺杂体区的上表面之间；
源极金属，位于第一导电类型的外延层侧面上方，且沿第一导电类型的外延层的厚度方向延伸；
第二介质层，位于沟槽的上表面，且沿垂直于沟槽的延伸方向延伸至与源极金属的侧壁相接触。
2.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述屏蔽栅极包括一个宽部栅极及若干个窄部栅极，且宽部栅极位于窄部栅极的上方；所述若干个窄部栅极沿垂直于沟槽延伸的方向间隔排布。
3.根据权利要求2所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述宽部栅极的宽度大于窄部栅极的宽度，且宽部栅极的长度小于窄部栅极的长度。
4.根据权利要求2所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述宽部栅极、窄部栅极与源极金属电连接。
5.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述SGT器件还包括：第二导电类型的体区，位于沟槽的外围，且位于第一导电类型的外延层的上表面；所述第二导电类型的体区中具有相互接触的第一导电类型的源区与第二导电类型的重掺杂接触区。
6.根据权利要求5所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述源极金属的下表面与第二导电类型的重掺杂接触区直接接触，源极金属的侧面还与第一导电类型的源区、第二导电类型的重掺杂接触区直接接触。
7.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述SGT器件还包括：栅极电极，与多晶硅栅极相连接；
漏极金属，位于第一导电类型的衬底的下表面。
8.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述第一导电类型的轻掺杂体区的掺杂浓度小于第一导电类型的重掺杂体区，且小于第一导电类型的外延层。
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