[发明专利]石墨基座和MOCVD设备

权利要求书

1.一种石墨基座，其特征在于，所述石墨基座(100)为圆盘形结构，所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个三棱锥形凸起(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆环(30)内，每个所述圆环(30)的圆心与所述圆形端面(110)的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少一个所述圆环(30)远离所述石墨基座(100)的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起(20)位于相邻的两个所述圆形槽(10)之间，每个所述三棱锥形凸起(20)所位于的两个所述圆形槽(10)分布在同一个所述圆环(30)内。

2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)的一条侧棱朝向所述石墨基座(100)的中心。

3.根据权利要求2所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的侧棱位于所述石墨基座(100)的径切面上。

4.根据权利要求2或3所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的侧棱与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角，小于所述三棱锥形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的侧面与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角。

5.根据权利要求2或3所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少两个所述圆环(30)内，分布在不同所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的侧边与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角，沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。

6.根据权利要求5所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个所述三棱锥形凸起(20)的侧面与底面之间的夹角为50°～75°。

7.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少两个所述圆环(30)内，分布在不同所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)的高度沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。

8.根据权利要求7所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)的高度为10μm～20μm。

9.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，分布在同一个所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)和所述圆形槽(10)在所述圆形端面(110)的周向上交替排列。

10.一种MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括石墨基座(100)、反应室(200)、转轴(300)和出气口(400)；所述石墨基座(100)为圆盘形结构，所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个三棱锥形凸起(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆环(30)内，每个所述圆环(30)的圆心与所述圆形端面(110)的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少一个所述圆环(30)远离所述石墨基座(100)的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起(20)位于相邻的两个所述圆形槽(10)之间，每个所述三棱锥形凸起(20)所位于的两个所述圆形槽(10)分布在同一个所述圆环(30)内；所述石墨基座(100)设置在所述反应室(200)内；所述出气口(400)设置在所述反应室(200)上，所述出气口(400)朝向所述石墨基座(100)设有所述多个圆形槽(10)和所述至少一个三棱锥形凸起(20)的圆形端面(110)；所述转轴(300)和所述出气口(400)位于所述石墨基座(100)的相反两侧，所述转轴(300)与所述石墨基座(100)同轴连接。