[发明专利]石墨基座和MOCVD设备

说明书

本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。本公开在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，可以减少圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，提高外延片的发光均匀性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基座和MOCVD设备。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

LED制作时，先在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片；再在LED外延片上设置电极，并对LED外延片进行切割，得到至少两个相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，得到LED。

目前外延生长都是在MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室内进行。相关技术中，MOCVD设备的反应室内设有石墨基座，石墨基座上间隔设有多个口袋(pocket)，一个口袋内可以放置一个衬底。外延生长时，反应物气体在衬底上生成半导体晶体材料，形成LED外延片。

在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：

同一个衬底上不同区域的反应物气体的流量不同，导致衬底上不同区域生成的半导体晶体材料不同，形成的LED外延片不同区域的发光波长不同，波长均匀性无法满足应用需要。

发明内容

本公开实施例提供了一种石墨基座和MOCVD设备，可以改善LED外延片的波长均匀性。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。

可选地，每个所述三棱锥形凸起的一条侧棱朝向所述石墨基座的中心。

可选地，每个所述三棱锥形凸起朝向所述石墨基座的中心的侧棱位于所述石墨基座的径切面上。

可选地，每个所述三棱锥形凸起朝向所述石墨基座的中心的侧棱与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角，小于所述三棱锥形凸起背向所述石墨基座的中心的侧面与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角。

可选地，所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少两个所述圆环内，分布在不同所述圆环内的所述三棱锥形凸起背向所述石墨基座的中心的侧边与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角，沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。

可选地，每个所述三棱锥形凸起的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个所述三棱锥形凸起的侧面与底面之间的夹角为50°～75°。

可选地，所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少两个所述圆环内，分布在不同所述圆环内的所述三棱锥形凸起的高度沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。

可选地，每个所述三棱锥形凸起的高度为10μm～20μm。