[发明专利]一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1、在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜，得到第一IGZO薄膜；

S2、在所述第一IGZO薄膜上涂布光阻后，对涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜进行蚀刻；

S3、待涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜蚀刻完成后，从蚀刻后的所述第一IGZO薄膜上剥离所述光阻，得到第二IGZO薄膜，所述第二IGZO薄膜包括所述PI薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S1之前还包括：

在玻璃基板上沉积金属钼，形成初始化的钼薄膜；

对初始化的所述钼薄膜进行曝光和蚀刻，得到图案化的所述钼薄膜；

在图案化的所述钼薄膜上沉积所述缓冲层。

3.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S1具体为：

在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜，在熔融状的所述PI薄膜上设置预设图案的金属挡板后进行固化，并通过显影液对未固化的PI薄膜进行去除，得到带有图案化的所述PI薄膜的第一IGZO薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S2具体为：

在所述第一IGZO薄膜上涂布光阻后，对所述第一IGZO薄膜上所涂布的所述光阻进行图案化，对所述光阻图案化后的所述第一IGZO薄膜进行蚀刻。

5.根据权利要求2所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S1具体为：

在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜远离所述缓冲层的一面上涂布PI薄膜，得到第一IGZO薄膜

所述S3之后，还包括：

将金属源极与所述第二IGZO薄膜未与所述缓冲层相接且未涂布所述PI薄膜的侧面搭接。

6.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S3之后，还包括：

在所述第二IGZO薄膜上依次沉积蚀刻阻挡层、栅极金属层、钝化层、金属源极、金属漏极和平坦层及电极层。

7.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述IGZO薄膜的厚度范围为0.03um-0.06um，所述PI薄膜的厚度范围为1um-2um。

8.根据权利要求1所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S1具体为：

在缓冲层上通过PVD沉积初始化的所述IGZO薄膜。

9.根据权利要求3所述的一种新型柔性TFT阵列基板制作方法，其特征在于，所述S1中所述在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜具体为：

通过PI涂布机在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜。

10.一种新型柔性TFT阵列基板结构，包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、有源层、金属源极、蚀刻阻挡层、栅极金属层、金属漏极、钝化层、平坦层及电极层，其特征在于，所述有源层为根据权利要求1-9任一所述的一种新型柔性TFT阵列基板的制作方法所得到的所述第二IGZO薄膜；

所述玻璃基板一侧设置有所述遮光层，所述遮光层远离所述玻璃基板连接的一侧上向着远离所述玻璃基板的方向依次设置有所述缓冲层、所述有源层、所述蚀刻阻挡层、所述栅极奇数层、所述钝化层及所述平坦层；所述钝化层还设置于所述有源层、所述蚀刻阻挡层及所述栅极四周；

所述金属源极包括第一引脚、第二引脚和顶盖，所述第一引脚的一侧设置于所述遮光层上且穿过所述缓冲层和所述钝化层，所述第一引脚的另一侧与所述顶盖连接；所述第二引脚的一侧设置于所述有源层上且穿过所述钝化层，所述第二引脚的另一侧与所述顶盖连接，所述顶盖设置于所述钝化层上；

所述金属漏极为T字型，所述金属漏极上较小的一端设置于所述有源层上且穿过所述钝化层，且较大的一端设置于所述钝化层上；

所述栅极金属层、所述金属源极和所述金属漏极在远离所述玻璃基板的方向上相互错开设置；

所述电极层为T字型，所述电极层上较小的一端设置于所述金属漏极上且穿过所述平坦层，较大的一端设置于所述平坦层上。