[发明专利]一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法

说明书

本发明提供了一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法，在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜，得到第一IGZO薄膜在所述第一IGZO薄膜上涂布光阻后，对涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜进行蚀刻；待涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜蚀刻完成后，从蚀刻后的所述第一IGZO薄膜上剥离所述光阻，得到第二IGZO薄膜；所述第二IGZO薄膜包括所述PI薄膜；本发明使用PI薄膜与光阻共同在蚀刻阶段对IGZO薄膜进行保护，并在剥离光阻时使用PI薄膜将IGZO薄膜与光刻胶剥离液隔开，不在蚀刻IGZO薄膜时保护了不需蚀刻的部分，且避免了剥离光刻胶时对IGZO薄膜造成的影响，减小了对IGZO膜质的伤害，保证了电子迁移率，能够提高TFT器件的稳定性，进一步保证良好的显示效果。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器件(LiquidCrystal Display，LCD)中重要的开关单元，传统的液晶显示结构采用A-Si(非晶矽)TFT来驱动液晶偏转，背光光线经过偏转的液晶时发生有规律的折射，再经过过滤在屏幕中显示画面；顶栅型(Top-gate)薄膜晶体管，由于源漏电极与栅极之间没有重叠，因此具有更低的寄生电容和更好的延展性，能避免A-Si TFT栅极和源漏极重叠面积大而产生的较大寄生电容，因此顶栅型(Top-gate)薄膜晶体管中能够降低信号传输过程中的延迟，同时采用自对准的制备方法，有利于制备短沟道器件，并且采用金属氧化物IGZO作为有源层，电子迁移率高，有利于提高器件特性，顶栅型薄膜晶体管结构将成为未来显示领域发展的趋势。

顶栅型Top gate IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)薄膜晶体管将IGZO作为有源层，在显示面板的制备过程中，请参照图2，现有技术下制作的TFT结构中包括基板1，基板1上的遮光层2，覆盖基板1和遮光层2的缓冲层3，缓冲层上的有源层IGZO(氧化铟锡锌4)，覆盖在有源层4上的蚀刻阻挡层6，沉积在蚀刻阻挡层6上的金属栅极7，覆盖金属栅极7的是钝化层9，通过开孔钝化层9，使金属源极5及金属漏极8与部分导体化的有源层4接触，还包括覆盖栅极7的平坦层10，开孔平坦层10，沉积电极层11，使电极层11和金属漏极8搭接，常用的有源层IGZO薄膜的制备是通过PVD在缓冲层3上沉积有源层IGZO薄膜，然后在IGZO薄膜上涂布光阻，采用半色调光罩对光阻进行曝光，再采用碱性的显影液对曝光后的光阻进行显影，去除被曝光的光阻，保留未被曝光的光阻形成光阻图案，再经过蚀刻液，未被光阻覆盖的IGZO薄膜将被蚀刻液腐蚀，有光阻覆盖的IGZO薄膜将会被保护，不被蚀刻液蚀刻，最后经过光阻剥离液，将IGZO薄膜上的光阻剥离干净，最终得到器件所需要的图案化有源层IGZO，在进行IGZO薄膜上光阻剥离的工艺时，光阻剥离液会对IGZO薄膜表面进行破坏，使表面粗糙度增大，氧空位增多，对器件的电子迁移率降低，器件电性曲线正偏，影响器件的稳定性；同时光阻剥离液会对IGZO产生刻蚀作用，进一步导致IGZO薄膜晶体管的性能下降，且此种方式生产的TFT无法实现柔性弯折。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法，提高IGZO薄膜的膜质并实现TFT的弯折。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种柔性TFT阵列基板制作方法，包括步骤：

S1、在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜，得到第一IGZO薄膜；

S2、在所述第一IGZO薄膜上涂布光阻后，对涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜进行蚀刻；

S3、待涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜蚀刻完成后，从蚀刻后的所述第一IGZO薄膜上剥离所述光阻，得到第二IGZO薄膜；所述第二IGZO薄膜包括所述PI薄膜。