[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底具有第一部件、第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；

提供载体衬底，在所述载体衬底上形成封孔膜层；

将所述封孔膜层键合到所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔；

去除所述载体衬底。

2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一部件为可动部件，第二部件为固定部件，所述第一部件在制造出的半导体器件中能相对所述第二部件可动。

3.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，提供的所述器件衬底还具有第一牺牲件和第二牺牲件，所述第一部件的部分区域通过所述第一牺牲件固定连接到所述第二部件上，所述第一部件与所述第二部件之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充；所述半导体器件制造方法还包括：在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，先至少通过所述第一释放孔去除所述第二牺牲件，并使得所述第一牺牲件保持所述第一部件与所述第二部件之间的固定连接；以及，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，去除所述第一牺牲件。

4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述器件衬底还具有设置在所述第二部件上的第二释放孔，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，通过所述第一释放孔和所述第二释放孔去除所述第二牺牲件；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，至少通过所述第二释放孔去除所述第一牺牲件。

5.如权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述封孔膜层为图形化的膜层，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后，所述封孔膜层暴露出部分所述第一释放孔；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，通过所述第二释放孔以及所述封孔膜层所暴露出的第一释放孔去除所述第一牺牲件。

6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述封孔膜层为图形化的膜层，通过点胶或者图案印刷或者光刻工艺，在所述载体衬底上形成图形化的封孔膜层。

7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述载体衬底上形成封孔膜层之前，先在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层。

8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述临时键合层包括热可解键合膜、光可解键合膜、电可解键合膜或者化学可解键合膜。

9.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述载体衬底上形成所述封孔膜层之前，且在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层之后，在所述载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的布线，所述布线包括单层结构和/或多层互连结构。

10.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层之后，且在所述载体衬底上形成所述布线之前，先在所述临时键合层或者第一刻蚀停止层上形成图形化的牺牲层。

11.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述图形化的牺牲层上形成所述布线之前，先在所述图形化的牺牲层上形成第二刻蚀停止层。

12.如权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在去除所述载体衬底之后，还包括：

去除所述第一刻蚀停止层；

去除所述图形化的牺牲层所暴露出的所述第二刻蚀停止层；

去除所述图形化的牺牲层。

13.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述布线包括连接所述第二部件与所述第一部件的悬浮连接线。