[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置

说明书

本发明提供了一种半导体器件制造方法及电子装置，先在载体衬底上制作封孔膜层，并通过键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。

技术领域

本发明涉及电子产品的模组组装技术领域，特别涉及一种半导体器件制造方法及电子装置。

背景技术

现有的一些特殊应用的半导体器件的制作过程中，经常会在第一部件上制作牺牲材料，并在牺牲材料上制作出第二部件，然后会在第二部件上制作大量的释放孔，以通过释放孔来去除该牺牲材料，之后会在第二部件上形成封孔膜层来封闭第二部件上的全部或者部分释放孔。

然而，现有的封孔工艺，很容易出现封孔材料进入半导体器件内部的问题，严重影响了器件性能。

因此，如何对半导体器件的第一部件上的释放孔进行封孔，已成为本领域技术人员研究的热点问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件制造方法及电子装置，至少实现对第一部件上的部分释放孔进行封孔，并避免封孔材料进入到半导体器件内部，保证了半导体器件的性能。

为了实现上述目的，本发明提供一种一种半导体器件制造方法，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底具有第一部件、第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；

提供载体衬底，在所述载体衬底上形成封孔膜层；

将所述封孔膜层键合到所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔；

去除所述载体衬底。

所述第一部件为可动部件，第二部件为固定部件，所述第一部件在制造出的半导体器件中能相对所述第二部件可动。

可选地，提供的所述器件衬底还具有第一牺牲件和第二牺牲件，所述第一部件的部分区域通过所述第一牺牲件固定连接到所述第二部件上，所述第一部件与所述第二部件之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充；所述半导体器件制造方法还包括：在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，先至少通过所述第一释放孔去除所述第二牺牲件，并使得所述第一牺牲件保持所述第一部件与所述第二部件之间的固定连接；以及，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，去除所述第一牺牲件。

可选地，所述器件衬底还具有设置在所述第二部件上的第二释放孔，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，通过所述第一释放孔和所述第二释放孔去除所述第二牺牲件；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，至少通过所述第二释放孔去除所述第一牺牲件。

可选地，所述封孔膜层为图形化的膜层，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后，所述封孔膜层暴露出部分所述第一释放孔；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，通过所述第二释放孔以及所述封孔膜层所暴露出的第一释放孔去除所述第一牺牲件。

可选地，所述封孔膜层为图形化的膜层，通过点胶或者图案印刷或者光刻工艺，在所述载体衬底上形成图形化的封孔膜层。

可选地，在所述载体衬底上形成封孔膜层之前，先在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层。

可选地，所述临时键合层包括热可解键合膜、光可解键合膜、电可解键合膜或者化学可解键合膜。

可选地，在所述载体衬底上形成所述封孔膜层之前，且在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层之后，在所述载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的布线，所述布线包括单层结构和/或多层互连结构。