[发明专利]晶体管器件

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

半导体本体(100)；

多个单元区域(1)，各自包括多个晶体管单元(10)，所述多个晶体管单元至少部分地集成在所述半导体本体(100)中并且各自包括相应的栅极电极(16)；

多个布线通道(6)，各自布置在两个或更多个所述单元区域(1)之间；

栅极焊盘(31)，布置在所述半导体本体(100)的第一表面(101)上方；和

多个栅极流道(2)，各自耦合至所述栅极焊盘(31)并且各自布置在所述多个布线通道(6)之一中，

其中所述多个栅极流道(2)中的每个栅极流道与所述多个单元区域(1)之一相关联，使得所述多个单元区域(1)中的每个单元区域中的所述栅极电极(16)连接到相关的栅极流道(2)，并且

其中所述多个布线通道(6)中的每个布线通道包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道(2)。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个栅极流道(2)中的每个栅极流道直接耦合至所述栅极焊盘(31)。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个栅极流道(2)中的至少一个栅极流道通过电阻器(4)耦合至所述栅极焊盘(31)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述布线通道(6)中的每个布线通道还包括绝缘材料(57)，所述绝缘材料使两个或更多个所述栅极流道(2)彼此电绝缘。

5.根据权利要求4所述的晶体管器件，其中所述布线通道(6)没有任何其他元件。

6.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述多个单元区域(1)以行和列布置，

其中每一列包括至少两个单元区域，所述至少两个单元区域在第一侧向方向(x)上彼此相邻布置并且与不同的栅极流道相关联；以及

其中每一行包括在第二侧向方向(y)上彼此相邻布置的若干单元区域。

7.根据权利要求6所述的晶体管器件，

其中所述晶体管器件包括各自在第二侧向方向上延伸的多个沟槽电极，以及

其中所述多个沟槽电极中的每个沟槽电极形成不同单元区域中的晶体管单元的所述栅极电极(16)，所述晶体管单元在所述第二侧向方向(y)上彼此相邻地布置。

8.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述多个栅极流道(2)中的每个栅极流道都连接到所述多个单元区域中的两个单元区域。

9.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，还包括：

多个源极电极(51)，

其中所述多个源极电极(51)中的每个源极电极与所述多个单元区域(1)中的两个或更多个单元区域相关联，使得所述多个单元区域(1)中的每个单元区域中的所述多个晶体管单元(10)的源极区域(12)连接到相关的所述源极电极(51)。

10.根据权利要求9所述的晶体管器件，

其中所述多个栅极流道(2)和所述多个源极电极(51)基于相同的导电层或相同的导电层堆叠(200)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述多个栅极流道(2)中的每个栅极流道都具有宽度和高度，

其中所述宽度选自1微米至15微米之间，所述高度选自0.5微米至5微米之间。

12.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述多个单元区域包括4至20个之间的单元区域。

13.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，

其中所述晶体管单元(10)是IGBT单元和MOSFET单元之一。