[发明专利]成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法

权利要求书

1.一种成膜装置，具备：

处理容器，其能够减压；

压力计，其检测所述处理容器内的压力；以及

控制部，

其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围为止。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在调整所述零点的步骤中，调整所述压力计的零点以使所述到达压力成为目标压力。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

所述目标压力为当在所述压力计沉积有预定的膜厚以上的膜的状态下将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测的压力。

4.根据权利要求2或3所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制部构成为，在将沉积于所述处理容器内的膜去除的清洁处理后执行所述循环，

所述目标压力为紧挨所述清洁处理之前由所述压力计检测的压力。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

执行所述成膜处理的步骤是在所述处理容器内不存在基板的状态或所述处理容器内收容有基板假片的状态下进行的。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述压力计为通过检测在基准压力室同与所述处理容器内连通的测定压力室的边界配置的隔膜的变形来测定所述测定压力室的压力的隔膜真空计。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜处理包括通过向所述处理容器内交替地供给氨基硅烷气体和氧化气体来进行氧化硅膜的成膜的处理。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述处理容器为收容基板保持器具的容器，所述基板保持器具将多个基板沿上下方向以具有间隔的方式大致水平地保持。

9.一种控制装置，对检测成膜装置的处理容器内的压力的压力计进行调整，

所述控制装置构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围为止。

10.一种压力计的调整方法，所述压力计用于检测成膜装置的处理容器内的压力，在所述压力计的调整方法中，

重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围为止。