[发明专利]成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法

说明书

本发明提供一种成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法，能够自动地执行压力计的零点调整。本公开的一个方式的成膜装置具备能够被减压的处理容器、检测所述处理容器内的压力的压力计以及控制部，其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围内为止。

技术领域

本公开涉及一种成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法。

背景技术

关于检测能够减压的处理容器内的压力的隔膜式的压力测定器，已知一种即使在隔膜附着有固体的情况下也能够减轻从附着的固体作用的应力对隔膜的变形产生的影响的压力测定器(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-137275号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够自动地执行压力计的零点调整的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的成膜装置具备：处理容器，其能够减压；压力计，其检测所述处理容器内的压力；以及控制部，其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零点的步骤和在所述处理容器内执行成膜处理的步骤的循环，直至当在执行所述成膜处理的步骤之后将所述处理容器内排气至最高到达真空度时由所述压力计检测出的到达压力达到目标范围为止。

发明的效果

根据本公开，能够自动地执行压力计的零点调整。

附图说明

图1是表示一个实施方式的成膜装置的结构例的概要图。

图2是表示压力计的一例的图。

图3是表示一个实施方式的压力计的调整方法的流程图。

图4是表示一个实施方式的压力计的调整方法的具体例的图。

图5是表示包括成膜装置的系统的一例的图。

附图标记说明

1：成膜装置；10：处理容器；60：压力计；80：控制部。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在全部的附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的参照标记，省略重复的说明。

〔成膜装置〕

图1是表示一个实施方式的成膜装置的结构例的概要图。如图1所示，成膜装置1具有处理容器10、气体供给部30、排气部40、加热部50、压力计60、控制部80等。

处理容器10的内部能够减压，该处理容器10用于收容作为基板的半导体晶圆(下面称作“晶圆W”。)。处理容器10具有下端开放的有顶的圆筒形状的内管11以及下端开放且覆盖内管11的外侧的有顶的圆筒形状的外管12。内管11和外管12由石英等耐热性材料形成，同轴状地配置成双层管构造。

内管11的顶部例如是平坦的。在内管11的一侧，沿着其长度方向(上下方向)形成有用于收容气体喷嘴的收容部13。在一个实施方式中，使内管11的侧壁的一部分朝向外侧突出而形成凸部14，将凸部14内形成为收容部13。